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真空鍍膜技術與設備 版權信息
- ISBN：9787502488802
- 條形碼：9787502488802 ; 978-7-5024-8880-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
真空鍍膜技術與設備 內容簡介
本書共分10章，系統闡述了各種真空鍍膜技術的基本概念、工作原理和應用，真空鍍膜機的結構、設計計算，蒸發源，磁控靶的設計計算，薄膜厚度的測量技術，薄膜與表面分析檢測技術；書中還介紹了近年來出現的新型薄膜材料石墨烯的制備方法和應用等方面的內容。 本書理論與實際應用結合，可作為真空技術與工程、薄膜與表面應用、材料工程、應用物理以及與真空鍍膜技術相關專業的教材，也可供相關領域的技術人員參考。
真空鍍膜技術與設備 目錄
1 真空蒸發鍍膜
1.1 概述
1.2 真空蒸發鍍膜基礎理論
1.2.1 真空蒸發鍍膜的物理過程
1.2.2 蒸發鍍膜的真空條件
1.2.3 真空鍍膜的蒸發條件
1.2.4 膜材的蒸發速率
1.2.5 殘余氣體對膜層的影響
1.2.6 蒸鍍粒子在基片上的沉積
1.3 蒸發源
1.3.1 電阻加熱式蒸發源
1.3.2 電子束加熱蒸發源
1.3.3 感應加熱式蒸發源
1.3.4 空心熱陰極電子束蒸發源
1.3.5 激光加熱蒸發源
1.3.6 電弧加熱蒸發源
本章小結
思考題
2 真空濺射鍍膜
2.1 濺射鍍膜原理
2.2 濺射與沉積成膜
2.2.1 放電濺射模式
2.2.2 濺射原子的能量與角分布
2.2.3 濺射產額與濺射速率
2.2.4 薄膜沉積
2.2.5 沉積速率
2.3 濺射鍍膜方法
2.4 直流二極濺射
2.5 磁控濺射
2.5.1 磁控濺射工作原理
2.5.2 磁場在磁控濺射中的作用
2.5.3 磁控濺射鍍膜的特點
2.5.4 平面磁控濺射靶
2.5.5 圓柱形磁控濺射靶
2.5.6 傳統平面磁控濺射靶存在的問題
2.6 射頻（RF）濺射
2.7 非平衡磁控濺射
2.7.1 非平衡磁控濺射原理
2.7.2 非平衡磁控濺射與平衡磁控濺射比較
2.8 反應磁控濺射
2.8.1 反應濺射的機理
2.8.2 反應濺射的特性
2.9 中頻交流反應磁控濺射
2.9.1 中頻交流磁控濺射原理
2.9.2 中頻雙靶反應濺射的特點
2.10 非對稱脈沖濺射
2.11 離子束濺射
本章小結
思考題
3 真空離子鍍膜
3.1 離子鍍的類型
3.2 真空離子鍍原理及成膜條件
3.2.1 離子鍍原理
3.2.2 離子鍍的成膜條件
3.3 等離子體在離子鍍膜過程中的作用
3.3.1 離子鍍過程中的離子轟擊效應
3.3.2 離子轟擊對膜/基界面的影響
3.4 離子鍍中基片負偏壓的影響
3.5 離子鍍的離化率
3.6 離子鍍膜工藝及其參數選擇
3.6.1 鍍膜室的氣體壓力
3.6.2 反應氣體的分壓
3.6.3 蒸發源功率
3.6.4 蒸發速率
3.6.5 蒸發源和基片間的距離
3.6.6 基片的負偏壓
3.6.7 基體溫度
……
4 真空等離子增強化學氣相沉積技術
5 離子注入與離子輔助沉積技術
6 石墨烯薄膜的制備及其應用
7 真空鍍膜機結構設計
8 鍍膜源的設計計算
9 薄膜厚度的測量與監控
10 表面與薄膜分析檢測技術
參考文獻
1.1 概述
1.2 真空蒸發鍍膜基礎理論
1.2.1 真空蒸發鍍膜的物理過程
1.2.2 蒸發鍍膜的真空條件
1.2.3 真空鍍膜的蒸發條件
1.2.4 膜材的蒸發速率
1.2.5 殘余氣體對膜層的影響
1.2.6 蒸鍍粒子在基片上的沉積
1.3 蒸發源
1.3.1 電阻加熱式蒸發源
1.3.2 電子束加熱蒸發源
1.3.3 感應加熱式蒸發源
1.3.4 空心熱陰極電子束蒸發源
1.3.5 激光加熱蒸發源
1.3.6 電弧加熱蒸發源
本章小結
思考題
2 真空濺射鍍膜
2.1 濺射鍍膜原理
2.2 濺射與沉積成膜
2.2.1 放電濺射模式
2.2.2 濺射原子的能量與角分布
2.2.3 濺射產額與濺射速率
2.2.4 薄膜沉積
2.2.5 沉積速率
2.3 濺射鍍膜方法
2.4 直流二極濺射
2.5 磁控濺射
2.5.1 磁控濺射工作原理
2.5.2 磁場在磁控濺射中的作用
2.5.3 磁控濺射鍍膜的特點
2.5.4 平面磁控濺射靶
2.5.5 圓柱形磁控濺射靶
2.5.6 傳統平面磁控濺射靶存在的問題
2.6 射頻（RF）濺射
2.7 非平衡磁控濺射
2.7.1 非平衡磁控濺射原理
2.7.2 非平衡磁控濺射與平衡磁控濺射比較
2.8 反應磁控濺射
2.8.1 反應濺射的機理
2.8.2 反應濺射的特性
2.9 中頻交流反應磁控濺射
2.9.1 中頻交流磁控濺射原理
2.9.2 中頻雙靶反應濺射的特點
2.10 非對稱脈沖濺射
2.11 離子束濺射
本章小結
思考題
3 真空離子鍍膜
3.1 離子鍍的類型
3.2 真空離子鍍原理及成膜條件
3.2.1 離子鍍原理
3.2.2 離子鍍的成膜條件
3.3 等離子體在離子鍍膜過程中的作用
3.3.1 離子鍍過程中的離子轟擊效應
3.3.2 離子轟擊對膜/基界面的影響
3.4 離子鍍中基片負偏壓的影響
3.5 離子鍍的離化率
3.6 離子鍍膜工藝及其參數選擇
3.6.1 鍍膜室的氣體壓力
3.6.2 反應氣體的分壓
3.6.3 蒸發源功率
3.6.4 蒸發速率
3.6.5 蒸發源和基片間的距離
3.6.6 基片的負偏壓
3.6.7 基體溫度
……
4 真空等離子增強化學氣相沉積技術
5 離子注入與離子輔助沉積技術
6 石墨烯薄膜的制備及其應用
7 真空鍍膜機結構設計
8 鍍膜源的設計計算
9 薄膜厚度的測量與監控
10 表面與薄膜分析檢測技術
參考文獻
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真空鍍膜技術與設備 作者簡介
張以忱：1954年生，東北大學教授；科研曾獲：遼寧省科技進步二等獎、冶金部科技進步三等獎、沈陽市政府科技進步一等獎、沈陽市政府星火二等獎、中科院科技進步三等獎；
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