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新視野電子電氣科技叢書電子電路分析與設(shè)計(第4版):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用 版權(quán)信息
- ISBN：9787302550006
- 條形碼：9787302550006 ; 978-7-302-55000-6
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
新視野電子電氣科技叢書電子電路分析與設(shè)計(第4版):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用 本書特色
各章結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、思路清晰、敘述詳細(xì)、文字流暢。每章節(jié)講解結(jié)束均附有例題及其講解和討論，能夠讓讀者對本章內(nèi)容理解更加透徹。 結(jié)合實際電路設(shè)計，理論講解與PSpice仿真分析結(jié)合，非常適用于工程師和電路設(shè)計人員。 高級模擬電路及其應(yīng)用、差分及多級放大電路、反饋及穩(wěn)定性、集成電路應(yīng)用和設(shè)計高級模擬電路及其應(yīng)用、差分及多級放大電路、反饋及穩(wěn)定性、集成電路應(yīng)用和設(shè)計
新視野電子電氣科技叢書電子電路分析與設(shè)計(第4版):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用 內(nèi)容簡介
本書主要講解半導(dǎo)體器件的物理特性和工作原理以及利用這類器件組成的各種基本電路，包括開關(guān)電源、數(shù)字電路以及各種放大電路。 首先簡要介紹半導(dǎo)體材料的工作特性；然后依次講解二極管及開關(guān)和整流電路、MOSFET及其應(yīng)用、MOS放大電路、三極管及其放大電路；很后主要以功率放大電路為例討論電子電路設(shè)計及元器件應(yīng)用。
新視野電子電氣科技叢書電子電路分析與設(shè)計(第4版):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用 目錄
目錄
第1章半導(dǎo)體材料和二極管
1.1半導(dǎo)體材料及其特性
1.1.1本征半導(dǎo)體
1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.1.3漂移電流和擴散電流
1.1.4過剩載流子
1.2PN結(jié)
1.2.1平衡PN結(jié)
1.2.2反向偏置的PN結(jié)
1.2.3正向偏置的PN結(jié)
1.2.4理想的電流電壓關(guān)系
1.2.5PN結(jié)二極管
1.3二極管電路： 直流分析及模型
1.3.1迭代法和圖解法
1.3.2折線化模型
1.3.3計算機仿真和分析
1.3.4二極管模型小結(jié)
1.4二極管電路： 交流等效電路
1.4.1正弦分析
1.4.2小信號等效電路
1.5其他類型的二極管
1.5.1光電池
1.5.2光電二極管
1.5.3發(fā)光二極管
1.5.4肖特基勢壘二極管
1.5.5穩(wěn)壓二極管
1.6設(shè)計應(yīng)用： 二極管溫度計
1.7本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第2章二極管電路
2.1整流電路
2.1.1半波整流
2.1.2全波整流
2.1.3濾波電路、紋波電壓和二極管電流
2.1.4檢波電路
2.1.5倍壓整流電路
2.2穩(wěn)壓二極管電路
2.2.1理想的基準(zhǔn)電壓電路
2.2.2齊納電阻和調(diào)整率
2.3限幅和鉗位電路
2.3.1限幅電路
2.3.2鉗位電路
2.4多二極管電路
2.4.1二極管電路示例
2.4.2二極管邏輯電路
2.5光電二極管和發(fā)光二極管電路
2.5.1光電二極管電路
2.5.2發(fā)光二極管電路
2.6設(shè)計應(yīng)用： 直流電源
2.7本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第3章場效應(yīng)晶體管
3.1MOS場效應(yīng)晶體管
3.1.1二端MOS結(jié)構(gòu)
3.1.2N溝道增強型MOSFET
3.1.3理想的MOSFET電流電壓特性——NMOS器件
3.1.4P溝道增強型MOSFET
3.1.5理想MOSFET的電流電壓特性——PMOS器件
3.1.6電路符號和規(guī)范
3.1.7其他MOSFET結(jié)構(gòu)和電路符號
3.1.8晶體管工作原理小結(jié)
3.1.9短溝道效應(yīng)
3.1.10其他非理想電流電壓特性
3.2MOSFET直流電路分析
3.2.1共源電路
3.2.2負(fù)載線和工作模式
3.2.3其他MOSFET電路結(jié)構(gòu)： 直流分析
3.3MOSFET的基本應(yīng)用： 開關(guān)、數(shù)字邏輯門和放大電路
3.3.1NMOS反相器
3.3.2數(shù)字邏輯門
3.3.3MOSFET小信號放大電路
3.4恒流源偏置
3.5多級MOSFET電路
3.5.1多晶體管電路： 級聯(lián)結(jié)構(gòu)
3.5.2多晶體管電路： 共源共柵結(jié)構(gòu)
3.6結(jié)型場效應(yīng)晶體管
3.6.1PN JFET和MESFET的工作原理
3.6.2電流電壓特性
3.6.3常見JFET電路： 直流分析
3.7設(shè)計應(yīng)用： 帶MOS晶體管的二極管溫度計
3.8本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第4章基本場效應(yīng)管放大電路
4.1MOSFET放大電路
4.1.1圖解分析、負(fù)載線和小信號參數(shù)
4.1.2小信號等效電路
4.1.3襯底效應(yīng)建模
4.2晶體管放大電路的基本組態(tài)
4.3共源放大電路
4.3.1一個基本的共源電路結(jié)構(gòu)
4.3.2帶源極電阻的共源放大電路
4.3.3帶源極旁路電容的共源電路
4.4共漏(源極跟隨器)放大電路
4.4.1小信號電壓增益
4.4.2輸入和輸出電阻
4.5共柵放大電路
4.5.1小信號電壓和電流增益
4.5.2輸入和輸出阻抗
4.6三種基本的放大電路組態(tài)： 總結(jié)和比較
4.7單級集成MOSFET放大電路
4.7.1負(fù)載線回顧
4.7.2帶增強型負(fù)載的NMOS放大電路
4.7.3帶耗盡型負(fù)載的NMOS放大電路
4.7.4帶有源負(fù)載的NMOS放大電路
4.8多級放大電路
4.8.1多級放大電路： 級聯(lián)電路
4.8.2多級放大電路： 共源共柵電路
4.9基本JFET放大電路
4.9.1小信號等效電路
4.9.2小信號分析
4.10設(shè)計應(yīng)用： 一個兩級放大電路
4.11本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第5章雙極型晶體管
5.1基本雙極型晶體管
5.1.1晶體管的結(jié)構(gòu)
5.1.2NPN型晶體管： 正向放大工作模式
5.1.3PNP型晶體管： 正向放大工作模式
5.1.4電路符號及規(guī)范
5.1.5電流電壓特性
5.1.6非理想晶體管的漏電流和擊穿電壓
5.2晶體管電路的直流分析
5.2.1共射電路
5.2.2負(fù)載線和工作模式
5.2.3電壓傳輸特性
5.2.4常用的雙極型電路： 直流分析
5.3晶體管的基本應(yīng)用
5.3.1開關(guān)
5.3.2數(shù)字邏輯
5.3.3放大電路
5.4雙極型晶體管的偏置
5.4.1單個基極電阻偏置
5.4.2分壓偏置和偏置的穩(wěn)定
5.4.3正負(fù)電源偏置
5.4.4集成電路偏置
5.5多級電路
5.6設(shè)計應(yīng)用： 帶雙極型晶體管的二極管溫度計
5.7本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第6章基本雙極型晶體管放大電路
6.1模擬信號和線性放大電路
6.2雙極型線性放大電路
6.2.1圖解分析和交流等效電路
6.2.2雙極型晶體管的小信號混合π等效電路
6.2.3小信號電壓增益
6.2.4考慮厄爾利效應(yīng)的混合π等效電路
6.2.5擴展的混合π等效電路
6.2.6其他小信號參數(shù)和等效電路
6.3晶體管放大電路的基本組態(tài)
6.4共射放大電路
6.4.1基本共射放大電路
6.4.2帶射極電阻的電路
6.4.3帶射極旁路電容的電路
6.4.4高級共射放大電路的概念
6.5交流負(fù)載線分析
6.5.1交流負(fù)載線
6.5.2*大不失真電壓
6.6共集放大電路(射極跟隨器)
6.6.1小信號電壓增益
6.6.2輸入電阻和輸出電阻
6.6.3小信號電流增益
6.7共基放大電路
6.7.1小信號電壓和電流增益
6.7.2輸入電阻和輸出電阻
6.8三種基本放大電路： 總結(jié)和比較
6.9多級放大電路
6.9.1多級放大電路分析： 級聯(lián)結(jié)構(gòu)
6.9.2多級電路： 復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)
6.9.3多級電路： 共射共基結(jié)構(gòu)
6.10功耗考慮
6.11設(shè)計應(yīng)用： 音頻放大電路
6.12本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第7章頻率響應(yīng)
7.1放大電路的頻率響應(yīng)
7.1.1等效電路
7.1.2頻率響應(yīng)分析
7.2系統(tǒng)傳遞函數(shù)
7.2.1s域分析
7.2.2一階函數(shù)
7.2.3波特圖
7.2.4短路和開路時間常數(shù)
7.2.5時間響應(yīng)
7.3電容耦合晶體管放大電路的頻率響應(yīng)
7.3.1耦合電容的影響
7.3.2負(fù)載電容的影響
7.3.3耦合電容和負(fù)載電容
7.3.4旁路電容的影響
7.3.5共同影響： 耦合電容和旁路電容
7.4雙極型晶體管的頻率響應(yīng)
7.4.1擴展的混合π等效電路
7.4.2短路電流增益
7.4.3截止頻率
7.4.4密勒效應(yīng)和密勒電容
7.4.5密勒效應(yīng)的物理原因
7.5場效應(yīng)管的頻率響應(yīng)
7.5.1高頻等效電路
7.5.2單位增益帶寬
7.5.3密勒效應(yīng)和密勒電容
7.6晶體管電路的高頻響應(yīng)
7.6.1共射和共源電路
7.6.2共基、共柵以及共射共基電路
7.6.3射極跟隨器和源極跟隨器電路
7.6.4高頻放大電路的設(shè)計
7.7設(shè)計應(yīng)用： 一個電容耦合兩級放大電路
7.8本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
第8章輸出級和功率放大電路
8.1功率放大電路
8.2功率晶體管
8.2.1功率BJT
8.2.2功率MOSFET
8.2.3功率MOSFET和BJT的比較
8.2.4散熱片
8.3功率放大電路分類
8.3.1甲類工作方式
8.3.2乙類工作方式
8.3.3甲乙類工作方式
8.3.4丙類工作方式
8.4甲類功率放大電路
8.4.1電感耦合放大電路
8.4.2變壓器耦合共射放大電路
8.4.3變壓器耦合射極跟隨器放大電路
8.5甲乙類推挽式互補輸出級
8.5.1二極管偏置的甲乙類輸出級
8.5.2帶VBE倍增電路的甲乙類輸出級
8.5.3帶輸入緩沖晶體管的甲乙類輸出級
8.5.4利用復(fù)合管的甲乙類輸出級
8.6設(shè)計應(yīng)用： 一個基于MOSFET的輸出級
8.7本章小結(jié)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
附錄A物理常數(shù)與轉(zhuǎn)換因子
附錄B制造商數(shù)據(jù)手冊節(jié)選
B.12N2222 NPN雙極型晶體管
B.22N2907 PNP雙極型晶體管
B.3NDS410 N溝道增強型MOSFET
B.4LM741運算放大器
附錄C標(biāo)準(zhǔn)電阻值和電容值
C.1碳膜電阻
C.2精密電阻(容差為1%)
C.3電容
參考文獻
_x00C_
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新視野電子電氣科技叢書電子電路分析與設(shè)計(第4版):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用 作者簡介
任艷頻，女，1999年畢業(yè)于清華大學(xué)自動化系，獲工學(xué)博士學(xué)位。畢業(yè)后加入聯(lián)想集團，從事信息家電和數(shù)字家庭產(chǎn)品研發(fā)工作。 自2006年起在清華大學(xué)自動化系任教，高級工程師，“控制工程”國家級優(yōu)秀教學(xué)團隊成員，北京市高教學(xué)會電子線路分會秘書長，全國大學(xué)生智能汽車競賽秘書處成員，IEEE Senior Member。現(xiàn)任清華大學(xué)電工電子中心電子技術(shù)實驗室主任，清華大學(xué)自動化實驗教學(xué)中心副主任。 十年以來，主要從事電子技術(shù)實踐教學(xué)，同時講授數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)理論課，并參加清華大學(xué)數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)和模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)MOOC課程建設(shè)。主持完成北京市教改項目1項。目前主要研究方向為自動測試、嵌入式系統(tǒng)及EDA。2006-2007年主持與航天部合作項目“火工品測試儀”，完成基于LXI總線的火工品測試儀研制。2007-2009年參加可編程集成電路測試儀的研制。2009年開始主持口袋儀器的研發(fā)。 近年來，發(fā)表學(xué)術(shù)及教學(xué)論研究論文29篇，出版專著1本。共申請專利24項，其中發(fā)明專利22項。曾獲清華大學(xué)教學(xué)成果獎一等獎、清華大學(xué)實驗技術(shù)成果獎一等獎、清華大學(xué)優(yōu)秀班主任一等獎、清華大學(xué)優(yōu)秀SRT指導(dǎo)教師等獎項。
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