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HVPE法生長自支撐GaN單晶及其性質研究 版權信息
- ISBN：9787551722742
- 條形碼：9787551722742 ; 978-7-5517-2274-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
HVPE法生長自支撐GaN單晶及其性質研究 內容簡介
本書主要結合作者在該領域的研究成果, 介紹了獲得高質量自支撐GaN單晶的方法。第二三章介紹了襯底及V/III對GaN單晶生長動力學及晶體質量的影響, 優化了GaN單晶生長工藝 ; 第四五章介紹了采用低溫緩沖層技術分別在并在藍寶石和SiC襯底上生長獲得自支撐GaN單晶的方法 ; 第六章介紹了高溫退火法在表征GaN單晶位錯方面的應用, 第七八章在第六章的基礎上提出了高溫退火法處理襯底, 獲得自支撐GaN單晶的方法。
HVPE法生長自支撐GaN單晶及其性質研究 目錄
第1章 緒論
1．1 引言
1．2 GaN的晶體結構
1．3 GaN單晶的基本性質
1．4 GaN單晶的結構缺陷
1．4．1 GaN單晶中的點缺陷
1．4．2 GaN單晶中的線缺陷
1．4．3 GaN單晶中的面缺陷
1．4．4 GaN單晶中的體缺陷
1．5 GaN材料的制備方法
1．5．1 GaN異質外延薄膜的制備方法
1．5．2 GaN單晶的生長方法
1．6 GaN單晶結構與性質分析方法
1．6．1 GaN單晶的結構分析方法
1．6．2 GaN單晶的光學分析方法
1．6．3 GaN單晶的形貌分析方法
1．6．4 GaN單晶的電學性質分析方法
1．6．5 GaN單晶的雜質分析方法
1．7 GaN單晶展望
1．8 本書的選題依據和主要研究內容
第2章 V／Ⅲ對GaN晶體質量和光電性質的影響
2．1 藍寶石襯底簡介
2．2 不同V／Ⅲ生長GaN單晶
2．3 V／Ⅲ對GaN單晶宏觀形貌的影響
2．4 V／Ⅲ對GaN單晶結構的影響
2．4．1 V／Ⅲ對GaN單晶位錯密度的影響
2．4．2 V／Ⅲ對GaN單晶殘余應力的影響
2．4．3 V／Ⅲ對GaN單晶晶體取向分布的影響
2．4．4 V／Ⅲ對GaN單晶雜質含量的影響
2．5 V／Ⅲ對GaN單晶光電性質的影響
2．5．1 V／Ⅲ對GaN單晶電學性質的影響
2．5．2 V／Ⅲ對GaN單晶光學性質的影響
2．6 本章小結
第3章 采用低溫緩沖層技術生長自支撐GaN單晶
3．1 自剝離機理
3．2 不同緩沖層處理工藝生長GaN單晶
3．3 低溫緩沖層表面形貌
3．4 緩沖層結構對HT-GaN的影響
3．4．1 緩沖層結構對HT-GaN形貌的影響
3．4．2 緩沖層結構對HT-GaN晶體質量的影響
3_4．3 緩沖層結構對HT-GaN殘余應力的影響
3．4．4 緩沖層結構對HT-GaN表面的晶體質量和晶體取向分布的影響
3．4．5 緩沖層結構對HT-GaN光學性質的影響
3．4．6 緩沖層的作用分析
3．5 本章小結
第4章 在SiC的C面直接生長自支撐GaN單晶
4．1 SiC襯底簡介
4．2 sic的C面上生長GaN單晶
4．3 低溫緩沖層的形貌和性質
4．3．1 低溫緩沖層退火前形貌對比
4．3．2 低溫緩沖層退火后形貌對比
4．3．3 適合單晶生長和自剝離的低溫緩沖層研究
4．4 SiC的C面生長HT-GaN
4．4．1 無緩沖層直接生長HT-GaN
4．4．2 不進行緩沖層退火生長HT-GaN
4．4．3 不同生長時間的緩沖層對HT-GaN的影響
4．4．4 V／Ⅲ對HT-GaN的影響
4．5 自支撐GaN單晶的性質研究
4．5．1 自支撐GaN單晶的極性
4．5．2 自支撐GaN單晶的晶體質量
4．5．3 自支撐GaN單晶的殘余應力
4．5．4 自支撐GaN單晶的晶體取向分布規律
4．5．5 自支撐GaN的光學性質
4．6 GaN單晶自剝離機理
4．7 本章小結
第5章 高溫退火法表征GaN中的位錯
5．1 高溫退火法表征位錯的機理
5．2 高溫退火法表征位錯
5．3 高溫退火襯底表面形貌
5．4 不同位錯表征方法對比
5．4．1 熔融堿腐蝕法表征位錯
5．4．2 CL表征位錯
5．5 高溫退火坑對應的位錯類型
5．6 本章小結
第6章 采用高溫退火襯底生長自支撐GaN單晶
6．1 前言
6．2 實驗部分
6．3 多孔結構襯底制備
6．4 采用多孔襯底制備自支撐GaN單晶
6．5 本章小結
第7章 采用兩步腐蝕襯底生長自支撐GaN單晶
7．1 前言
7．2 兩步腐蝕M0cVD-GaN襯底
7．2．1 兩步腐蝕法概述
7．2．2 電化學腐蝕MOCVD-GaN襯底
7．2．3 熱磷酸再次腐蝕M()CVD-GaN襯底
7．3 采用兩步腐蝕襯底生長自支撐GaN單晶
7．3．1 兩步腐蝕襯底用于HVPE生長概述
7．3．2 兩步腐蝕襯底的結構
7．3．3 兩步腐蝕襯底生長自剝離GaN晶體的性能表征
7．4 本章小結
第8章 本書總結
參考文獻
1．1 引言
1．2 GaN的晶體結構
1．3 GaN單晶的基本性質
1．4 GaN單晶的結構缺陷
1．4．1 GaN單晶中的點缺陷
1．4．2 GaN單晶中的線缺陷
1．4．3 GaN單晶中的面缺陷
1．4．4 GaN單晶中的體缺陷
1．5 GaN材料的制備方法
1．5．1 GaN異質外延薄膜的制備方法
1．5．2 GaN單晶的生長方法
1．6 GaN單晶結構與性質分析方法
1．6．1 GaN單晶的結構分析方法
1．6．2 GaN單晶的光學分析方法
1．6．3 GaN單晶的形貌分析方法
1．6．4 GaN單晶的電學性質分析方法
1．6．5 GaN單晶的雜質分析方法
1．7 GaN單晶展望
1．8 本書的選題依據和主要研究內容
第2章 V／Ⅲ對GaN晶體質量和光電性質的影響
2．1 藍寶石襯底簡介
2．2 不同V／Ⅲ生長GaN單晶
2．3 V／Ⅲ對GaN單晶宏觀形貌的影響
2．4 V／Ⅲ對GaN單晶結構的影響
2．4．1 V／Ⅲ對GaN單晶位錯密度的影響
2．4．2 V／Ⅲ對GaN單晶殘余應力的影響
2．4．3 V／Ⅲ對GaN單晶晶體取向分布的影響
2．4．4 V／Ⅲ對GaN單晶雜質含量的影響
2．5 V／Ⅲ對GaN單晶光電性質的影響
2．5．1 V／Ⅲ對GaN單晶電學性質的影響
2．5．2 V／Ⅲ對GaN單晶光學性質的影響
2．6 本章小結
第3章 采用低溫緩沖層技術生長自支撐GaN單晶
3．1 自剝離機理
3．2 不同緩沖層處理工藝生長GaN單晶
3．3 低溫緩沖層表面形貌
3．4 緩沖層結構對HT-GaN的影響
3．4．1 緩沖層結構對HT-GaN形貌的影響
3．4．2 緩沖層結構對HT-GaN晶體質量的影響
3_4．3 緩沖層結構對HT-GaN殘余應力的影響
3．4．4 緩沖層結構對HT-GaN表面的晶體質量和晶體取向分布的影響
3．4．5 緩沖層結構對HT-GaN光學性質的影響
3．4．6 緩沖層的作用分析
3．5 本章小結
第4章 在SiC的C面直接生長自支撐GaN單晶
4．1 SiC襯底簡介
4．2 sic的C面上生長GaN單晶
4．3 低溫緩沖層的形貌和性質
4．3．1 低溫緩沖層退火前形貌對比
4．3．2 低溫緩沖層退火后形貌對比
4．3．3 適合單晶生長和自剝離的低溫緩沖層研究
4．4 SiC的C面生長HT-GaN
4．4．1 無緩沖層直接生長HT-GaN
4．4．2 不進行緩沖層退火生長HT-GaN
4．4．3 不同生長時間的緩沖層對HT-GaN的影響
4．4．4 V／Ⅲ對HT-GaN的影響
4．5 自支撐GaN單晶的性質研究
4．5．1 自支撐GaN單晶的極性
4．5．2 自支撐GaN單晶的晶體質量
4．5．3 自支撐GaN單晶的殘余應力
4．5．4 自支撐GaN單晶的晶體取向分布規律
4．5．5 自支撐GaN的光學性質
4．6 GaN單晶自剝離機理
4．7 本章小結
第5章 高溫退火法表征GaN中的位錯
5．1 高溫退火法表征位錯的機理
5．2 高溫退火法表征位錯
5．3 高溫退火襯底表面形貌
5．4 不同位錯表征方法對比
5．4．1 熔融堿腐蝕法表征位錯
5．4．2 CL表征位錯
5．5 高溫退火坑對應的位錯類型
5．6 本章小結
第6章 采用高溫退火襯底生長自支撐GaN單晶
6．1 前言
6．2 實驗部分
6．3 多孔結構襯底制備
6．4 采用多孔襯底制備自支撐GaN單晶
6．5 本章小結
第7章 采用兩步腐蝕襯底生長自支撐GaN單晶
7．1 前言
7．2 兩步腐蝕M0cVD-GaN襯底
7．2．1 兩步腐蝕法概述
7．2．2 電化學腐蝕MOCVD-GaN襯底
7．2．3 熱磷酸再次腐蝕M()CVD-GaN襯底
7．3 采用兩步腐蝕襯底生長自支撐GaN單晶
7．3．1 兩步腐蝕襯底用于HVPE生長概述
7．3．2 兩步腐蝕襯底的結構
7．3．3 兩步腐蝕襯底生長自剝離GaN晶體的性能表征
7．4 本章小結
第8章 本書總結
參考文獻
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