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一般工業技術

清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版)

包郵清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版)

作者：[美] 理查德·C.耶格（Richard

出版社：清華大學出版社出版時間：2020-10-01

開本：其他頁數： 296

本類榜單：工業技術銷量榜

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版權信息
本書特色
內容簡介
目錄
作者簡介

清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版) 版權信息

ISBN：9787302555230
條形碼：9787302555230 ; 978-7-302-55523-0
裝幀：一般膠版紙
冊數：暫無
重量：暫無
所屬分類：
工業技術
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一般工業技術

清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版) 本書特色

暢銷全球的電子與電氣學科經典教材！電子電氣專業理論教材，工程師**參考指南！本書內容全面，既有電子學相關的基礎概念、分析方法，也有電子元器件相關的電路性能等，內容由淺入深，前后連接緊密，能夠激發讀者學習興趣，并能啟迪讀者創新。本書采用計算機作為輔助工具，許多電路設計提供了SPICE仿真模型，便于讀者對所設計電路進行性能上的模擬驗證。每一章都提供了大量的設計實例，每一章的*后都會給出專門的設計習題、計算機習題和SPICE習題

清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版) 內容簡介

本書系統論述了電子元器件主要電路的基本知識及其應用。從電子學的基本原理入手，介紹了基本的分壓和分流原理、戴維南定理、放大器等基本概念，給出了元器件的容差數學模型以及電路設計中常用的很差情況分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法，詳細介紹了半導體材料特性、二極管PN結特性、二極管SPICE模型、整流電路、場效應管及雙極型晶體管的特性及SPICE分析等。本書從工程求解角度定義了一種很好清晰的問題求解方法，書中提供的大量設計實例都是采用該方法進行求解，有助于讀者加深對相關電路設計的理解與掌握。通過本書的學習，讀者可以全面掌握電子元器件及其電路的概念和知識，能夠學會相關電路分析及電路設計方法，書中給了大量的設計練習可供讀者進行學習與實踐。本書可以作為電子信息類、電氣類專業本科生或研究生作為專業教材或參考書，也可以作為從事固態電子學與器件、數字電路和模擬電路設計或開發的工程技術人員的參考資料。

清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版) 目錄

第1章電子學簡介

1.1電子學發展簡史：從真空管到巨大規模集成電路

1.2電子學信號分類

1.2.1數字信號

1.2.2模擬信號

1.2.3A/D和D/A轉換器——連接模擬與數字信號的橋梁

1.3符號約定

1.4解決問題的方法

1.5電路理論的主要概念

1.5.1分壓和分流

1.5.2戴維南定理和諾頓定理

1.6電子學信號的頻譜

1.7放大器

1.7.1理想運算放大器

1.7.2放大器頻率響應

1.8電路設計中元器件參數值的變化

1.8.1容差的數學模型

1.8.2*差情況分析

1.8.3蒙特卡洛分析

1.8.4溫度系數

1.9數值精度

小結

關鍵詞

參考文獻

擴展閱讀

習題

第2章固態電子學

2.1固態電子材料

2.2共價鍵模型

2.3半導體中的漂移電流和遷移率

2.3.1漂移電流

2.3.2遷移率

2.3.3速率飽和

2.4本征硅的電阻率

2.5半導體中的雜質

2.5.1硅中的施主雜質

2.5.2硅中的受主雜質

2.6摻雜半導體中的電子和空穴濃度

2.6.1n型材料

2.6.2p型材料

2.7摻雜半導體的遷移率和電阻率

2.8擴散電流

2.9總電流

2.10能帶模型

2.10.1本征半導體中電子空穴對的產生

2.10.2摻雜半導體的能帶模型

2.10.3補償半導體

2.11集成電路制造概述

小結

關鍵詞

參考文獻

擴展閱讀

習題

第3章固態二極管和二極管電路

3.1pn結二極管

3.1.1pn結靜電學

3.1.2二極管內部電流

3.2二極管的IV特性

3.3二極管方程：二極管的數學模型

3.4反偏、零偏、正偏下的二極管特性

3.4.1反偏

3.4.2零偏

3.4.3正偏

3.5二極管的溫度系數

3.6二極管反偏

3.6.1實際二極管的飽和電流

3.6.2反向擊穿

3.6.3擊穿區的二極管模型

3.7pn結電容

3.7.1反偏

3.7.2正偏

3.8肖特基二極管

3.9二極管的SPICE模型及版圖

3.10二極管電路分析

3.10.1負載線分析法

3.10.2二極管數學模型分析法

3.10.3理想二極管模型

3.10.4恒壓降模型

3.10.5模型比較與討論

3.11多二極管電路

3.12擊穿區域二極管分析

3.12.1負載線分析

3.12.2分段線性模型分析

3.12.3穩壓器

3.12.4包含齊納電阻的電路分析

3.12.5線性調整率和負載調整率

3.13半波整流電路

3.13.1帶負載電阻的半波整流器

3.13.2整流濾波電容

3.13.3帶RC負載的半波整流器

3.13.4紋波電壓和導通期

3.13.5二極管電流

3.13.6浪涌電流

3.13.7額定峰值反向電壓

3.13.8二極管功耗

3.13.9輸出負電壓的半波整流器

3.14全波整流電路

3.15全波橋式整流

3.16整流器的比較及折中設計

3.17二極管的動態開關行為

3.18光電二極管、太陽能電池和發光二極管

3.18.1光電二極管和光探測器

3.18.2太陽能電池

3.18.3發光二極管

小結

關鍵詞

參考文獻

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習題

第4章場效應管

4.1MOS電容特性

4.1.1積累區

4.1.2耗盡區

4.1.3反型區

4.2NMOS晶體管

4.2.1NMOS晶體管的IV特性的定性描述

4.2.2NMOS晶體管的線性區特性

4.2.3導通電阻

4.2.4跨導

4.2.5IV特性的飽和

4.2.6飽和(夾斷)區的數學模型

4.2.7飽和的跨導

4.2.8溝道長度調制

4.2.9傳輸特性及耗盡型MOSFET

4.2.10體效應或襯底靈敏度

4.3PMOS晶體管

4.4MOSFET電路模型

4.5MOS晶體管電容

4.5.1NMOS晶體管的線性區電容

4.5.2飽和區電容

4.5.3截止區電容

4.6SPICE中的MOSFET建模

4.7MOS晶體管的等比例縮放

4.7.1漏極電流

4.7.2柵極電容

4.7.3電流和功率密度

4.7.4功耗延遲積

4.7.5截止頻率

4.7.6大電場限制

4.7.7包含高場限制的統一MOS晶體管模型

4.7.8亞閾值導通

4.8MOS晶體管的制造工藝及版圖設計規則

4.8.1*小特征尺寸和對準容差

4.8.2MOS晶體管的版圖

4.9NMOS場效應管的偏置

4.9.1為什么需要偏置

4.9.2四電阻偏置

4.9.3恒定柵源電壓偏置

4.9.4Q點的圖形分析

4.9.5包含體效應的分析

4.9.6使用統一模型進行分析

4.10PMOS場效應晶體管的偏置

4.11結型場效應管

4.11.1偏壓下的JFET

4.11.2漏源偏置下的JFET溝道

4.11.3n溝道JEFT的IV特性

4.11.4p溝道JFET

4.11.5JFET的電路符號和模型小結

4.11.6JFET電容

4.12JFET的SPICE模型

4.13JFET和耗盡型MOSFET的偏置

小結

關鍵詞

參考文獻

習題

第5章雙極型晶體管

5.1雙極型晶體管的物理結構

5.2npn晶體管的傳輸模型

5.2.1正向特性

5.2.2反向特征

5.2.3任意偏置條件下晶體管傳輸模型方程

5.3pnp晶體管

5.4晶體管傳輸模型的等效電路

5.5雙極型晶體管的IV特性

5.5.1輸出特性

5.5.2傳輸特性

5.6雙極型晶體管的工作區

5.7傳輸模型的化簡

5.7.1截止區的簡化模型

5.7.2正向有源區的模型簡化

5.7.3雙極型集成電路中的二極管

5.7.4反向有源區的簡化模型

5.7.5飽和區模型

5.8雙極型晶體管的非理想特性

5.8.1結擊穿電壓

5.8.2基區的少數載流子傳輸

5.8.3基區傳輸時間

5.8.4擴散電容

5.8.5共發電流增益對頻率的依賴性

5.8.6Early效應和Early電壓

5.8.7Early效應的建模

5.8.8Early效應的產生原因

5.9跨導

5.10雙極工藝與SPICE模型

5.10.1定量描述

5.10.2SPICE模型方程

5.10.3高性能雙極型晶體管

5.11BJT的實際偏置電路

5.11.1四電阻偏置

5.11.2四電阻偏置電路的設計目標

5.11.3四電阻偏置電路的迭代分析

5.12偏置電路的容差

5.12.1*壞情況分析

5.12.2蒙特卡洛分析

小結

關鍵詞

參考文獻

習題

附錄A標準離散組件值

A.1電阻

A.2電容

A.3電感

附錄B固態器件模型及SPICE仿真參數

B.1pn結二極管

B.2MOS場效應管

B.3結型場效應管

B.4雙極型晶體管

附錄C二端口回顧

C.1g參數

C.2混合參數或h參數

C.3導納參數和y參數

C.4阻抗參數或z參數

展開全部

清華開發者書庫深入理解微電子電路設計:電子元器件原理及應用(原書第5版) 作者簡介

[美] 理查德·C.耶格（Richard C. Jaeger）：美國佛羅里達大學電氣工程專業博士，奧本大學電氣與計算機工程系資深教授，1995年被任命為研究生院杰出導師，主要研究領域為固態電路和器件、電子封裝、壓阻應力傳感器、低溫電子設備、VLSI設計以及電子設備和電路中的噪聲等。 [美] 特拉維斯·N.布萊洛克（Travis N. Blalock）：美國弗吉尼亞大學電氣與計算機工程系教授。

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