掃一掃
關注中圖網
官方微博
本類五星書更多>
-
>
公路車寶典(ZINN的公路車維修與保養秘籍)
-
>
晶體管電路設計(下)
-
>
基于個性化設計策略的智能交通系統關鍵技術
-
>
花樣百出:貴州少數民族圖案填色
-
>
山東教育出版社有限公司技術轉移與技術創新歷史叢書中國高等技術教育的蘇化(1949—1961)以北京地區為中心
-
>
鐵路機車概要.交流傳動內燃.電力機車
-
>
利維坦的道德困境:早期現代政治哲學的問題與脈絡
功率半導體器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 版權信息
- ISBN：9787111640295
- 條形碼：9787111640295 ; 978-7-111-64029-5
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
功率半導體器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 本書特色
本書介紹了功率半導體器件的原理、結構、特性和可靠性技術，器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，還包含了制造工藝、測試技術和損壞機理分析。就其內容的全面性和結構的完整性來說，在同類專業書籍中是不多見的。
本書內容新穎，緊跟時代發展，除了介紹經典的功率二極管、晶閘管外，還重點介紹了MOSFET、IGBT等現代功率器件，頗為難得的是收入了近年來有關功率半導體器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及場控寬禁帶器件等。本書是一本精心編著、并根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書，相信它的翻譯出版必將有助于我國電力電子事業的發展。
本書的讀者對象包括在校學生、功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書，亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
功率半導體器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 內容簡介
本書介紹了功率半導體器件的原理、結構、特性和可靠性技術，器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，還包含了制造工藝、測試技術和損壞機理分析。就其內容的全面性和結構的完整性來說，在同類專業書籍中是不多見的。 本書內容新穎，緊跟時代發展，除了介紹經典的功率二極管、晶閘管外，還重點介紹了MOSFET、IGBT等現代功率器件，頗為難得的是收入了近年來有關功率半導體器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及場控寬禁帶器件等。本書是一本精心編著、并根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書，相信它的翻譯出版必將有助于我國電力電子事業的發展。 本書的讀者對象包括在校學生、功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書，亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
功率半導體器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 目錄
目錄
譯者的話
原書第2版序言
原書第1版序言
常用符號
第1章功率半導體器件——高效電能變換裝置中的關鍵器件1
11裝置、電力變流器和功率半導體器件1
111電力變流器的基本原理2
112電力變流器的類型和功率器件的選擇3
12使用和選擇功率半導體6
13功率半導體的應用8
14用于碳減排的電力電子設備11
參考文獻14
第2章半導體的性質17
21引言17
22晶體結構19
23禁帶和本征濃度21
24能帶結構和載流子的粒子性質24
25摻雜的半導體28
26電流的輸運36
261載流子的遷移率和場電流36
262強電場下的漂移速度42
263載流子的擴散，電流輸運方程式和愛因斯坦關系式43
27復合產生和非平衡載流子的壽命45
271本征復合機理47
272包含金、鉑和輻射缺陷的復合中心上的復合48
28碰撞電離64
29半導體器件的基本公式70
210簡單的結論73
2101少數載流子濃度的時間和空間衰減73
2102電荷密度的時間和空間衰減74
參考文獻75
第3章pn結80
31熱平衡狀態下的pn結80
311突變結82
312緩變結87
32pn結的IV特性90
33pn結的阻斷特性和擊穿97
331阻斷電流97
332雪崩倍增和擊穿電壓100
333寬禁帶半導體的阻斷能力108
34發射區的注入效率109
35pn結的電容115
參考文獻117
功率半導體器件——原理、特性和可靠性（原書第2版）目錄第4章功率器件工藝的介紹119
41晶體生長119
42通過中子嬗變來調節晶片的摻雜120
43外延生長122
44擴散124
441擴散理論，雜質分布124
442摻雜物的擴散系數和溶解度130
443高濃度效應，擴散機制132
45離子注入134
46氧化和掩蔽138
47邊緣終端140
471斜面終端結構140
472平面結終端結構142
473雙向阻斷器件的結終端143
48鈍化144
49復合中心145
491用金和鉑作為復合中心145
492輻射引入的復合中心147
493Pt和Pd的輻射增強擴散149
410輻射引入雜質150
411GaN器件工藝的若干問題151
參考文獻155
第5章pin二極管160
51pin二極管的結構160
52pin二極管的IV特性161
53pin二極管的設計和阻斷電壓162
54正向導通特性167
541載流子的分布167
542結電壓169
543中間區域兩端之間的電壓降170
544在霍爾近似中的電壓降171
545發射極復合、有效載流子壽命和正向特性173
546正向特性和溫度的關系179
55儲存電荷和正向電壓之間的關系180
56功率二極管的開通特性181
57功率二極管的反向恢復183
571定義183
572與反向恢復有關的功率損耗189
573反向恢復：二極管中電荷的動態192
574具有*佳反向恢復特性的快速二極管199
575MOS控制二極管208
58展望213
參考文獻214
第6章肖特基二極管216
61金屬半導體結的能帶圖216
62肖特基結的IV特性217
63肖特基二極管的結構219
64單極型器件的歐姆電壓降220
641額定電壓為200V和100V的硅肖特基二極管與pin二極管的比較222
65SiC肖特基二極管223
651SiC單極二極管特性223
652組合pin肖特基二極管226
653SiC肖特基和MPS二極管的開關特性和耐用性230
參考文獻232
第7章雙極型晶體管234
71雙極型晶體管的工作原理234
72功率雙極型晶體管的結構235
73功率晶體管的IV特性236
74雙極型晶體管的阻斷特性237
75雙極型晶體管的電流增益239
76基區展寬、電場再分布和二次擊穿243
77硅雙極型晶體管的局限性245
78SiC雙極型晶體管245
參考文獻246
第8章晶閘管248
81結構與功能模型248
82晶閘管的IV特性251
83晶閘管的阻斷特性252
84發射極短路點的作用253
85晶閘管的觸發方式254
86觸發前沿擴展255
87隨動觸發與放大門極256
88晶閘管關斷和恢復時間258
89雙向晶閘管260
810門極關斷晶閘管261
811門極換流晶閘管265
參考文獻268
第9章MOS晶體管及場控寬禁帶器件270
91MOSFET的基本工作原理270
92功率MOSFET的結構271
93MOS晶體管的IV特性272
94MOSFET溝道的特性273
95歐姆區域276
96現代MOSFET的補償結構277
97MOSFET特性的溫度依賴性281
98MOSFET的開關特性282
99MOSFET的開關損耗286
910MOSFET的安全工作區287
911MOSFET的反并聯二極管288
912SiC場效應器件292
9121SiC JFET292
9122SiC MOSFET294
9123SiC MOSFET體二極管296
913GaN橫向功率晶體管297
914GaN縱向功率晶體管302
915展望303
參考文獻303
第10章IGBT307
101功能模式307
102IGBT的IV特性309
103IGBT的開關特性310
104基本類型：PTIGBT和NPTIGBT312
105IGBT中的等離子體分布315
106提高載流子濃度的現代IGBT317
1061高n發射極注入比的等離子增強317
1062無閂鎖元胞幾何圖形320
1063“空穴勢壘”效應321
1064集電極端的緩沖層322
107具有雙向阻斷能力的IGBT324
108逆導型IGBT325
109IGBT的潛力329
參考文獻332
第11章功率器件的封裝335
111封裝技術面臨的挑戰335
112封裝類型336
1121餅形封裝338
1122TO系列及其派生339
1123模塊342
113材料的物理特性347
114熱仿真和熱等效電路349
1141熱參數與電參數間的轉換349
1142一維等效網絡354
1143三維熱網絡356
1144瞬態熱阻357
115功率模塊內的寄生電學元件359
目錄ⅩⅦⅩⅧ功率半導體器件——原理、特性和可靠性（原書第2版）1151寄生電阻359
1152寄生電感362
1153寄生電容365
116先進的封裝技術367
1161銀燒結技術368
1162擴散釬焊370
1163芯片頂部接觸的先進技術371
1164改進后的襯底375
1165先進的封裝理念376
參考文獻379
第12章可靠性和可靠性試驗383
121提高可靠性的要求383
122高溫反向偏置試驗385
123高溫柵極應力試驗388
124溫度濕度偏置試驗390
125高溫和低溫存儲試驗392
126溫度循環和溫度沖擊試驗393
127功率循環試驗395
1271功率循環試驗的實施395
1272功率循環誘發的失效機理400
1273壽命預測模型407
1274失效模式的離析410
1275功率循環的任務配置和疊加414
1276TO封裝模塊的功率循環能力417
1277SiC器件的功率循環418
128宇宙射線失效422
1281鹽礦試驗422
1282宇宙射線的由來423
1283宇宙射線失效模式426
1284基本的失效機理模型427
1285基本的設計規則429
1286考慮nn 結后的擴展模型432
1287擴展模型設計的新進展435
1288SiC器件的宇宙射線穩定性437
129可靠性試驗結果的統計評估440
1210可靠性試驗的展望449
參考文獻450
第13章功率器件的損壞機理456
131熱擊穿——溫度過高引起的失效456
132浪涌電流458
133過電壓——電壓高于阻斷能力461
134動態雪崩466
1341雙極型器件中的動態雪崩466
1342快速二極管中的動態雪崩467
1343具有高動態雪崩能力的二極管結構475
1344IGBT關斷過程中的過電流和動態雪崩479
135超出GTO的*大關斷電流481
136IGBT的短路和過電流482
1361短路類型Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ482
1362短路的熱、電應力486
1363短路時的電流絲491
137IGBT電路失效分析494
參考文獻496
第14章功率器件的感應振蕩和電磁干擾500
141電磁干擾的頻率范圍500
142LC振蕩502
1421并聯IGBT的關斷振蕩502
1422階躍二極管的關斷振蕩504
1423寬禁帶器件的關斷振蕩506
143渡越時間振蕩508
1431等離子體抽取渡越時間振蕩509
1432動態碰撞電離渡越時間振蕩515
1433動態雪崩振蕩519
1434傳輸時間振蕩的總結521
參考文獻522
第15章集成電力電子系統524
151定義和基本特征524
152單片集成系統——功率IC526
153GaN單片集成系統529
154印制電路板上的系統集成531
155混合集成533
參考文獻539
附錄ASi與4HSiC中載流子遷移率的建模參數541
附錄B復合中心及相關參數543
附錄C雪崩倍增因子與有效電離率548
附錄D封裝技術中重要材料的熱參數552
附錄E封裝技術中重要材料的電參數553
譯者的話
原書第2版序言
原書第1版序言
常用符號
第1章功率半導體器件——高效電能變換裝置中的關鍵器件1
11裝置、電力變流器和功率半導體器件1
111電力變流器的基本原理2
112電力變流器的類型和功率器件的選擇3
12使用和選擇功率半導體6
13功率半導體的應用8
14用于碳減排的電力電子設備11
參考文獻14
第2章半導體的性質17
21引言17
22晶體結構19
23禁帶和本征濃度21
24能帶結構和載流子的粒子性質24
25摻雜的半導體28
26電流的輸運36
261載流子的遷移率和場電流36
262強電場下的漂移速度42
263載流子的擴散，電流輸運方程式和愛因斯坦關系式43
27復合產生和非平衡載流子的壽命45
271本征復合機理47
272包含金、鉑和輻射缺陷的復合中心上的復合48
28碰撞電離64
29半導體器件的基本公式70
210簡單的結論73
2101少數載流子濃度的時間和空間衰減73
2102電荷密度的時間和空間衰減74
參考文獻75
第3章pn結80
31熱平衡狀態下的pn結80
311突變結82
312緩變結87
32pn結的IV特性90
33pn結的阻斷特性和擊穿97
331阻斷電流97
332雪崩倍增和擊穿電壓100
333寬禁帶半導體的阻斷能力108
34發射區的注入效率109
35pn結的電容115
參考文獻117
功率半導體器件——原理、特性和可靠性（原書第2版）目錄第4章功率器件工藝的介紹119
41晶體生長119
42通過中子嬗變來調節晶片的摻雜120
43外延生長122
44擴散124
441擴散理論，雜質分布124
442摻雜物的擴散系數和溶解度130
443高濃度效應，擴散機制132
45離子注入134
46氧化和掩蔽138
47邊緣終端140
471斜面終端結構140
472平面結終端結構142
473雙向阻斷器件的結終端143
48鈍化144
49復合中心145
491用金和鉑作為復合中心145
492輻射引入的復合中心147
493Pt和Pd的輻射增強擴散149
410輻射引入雜質150
411GaN器件工藝的若干問題151
參考文獻155
第5章pin二極管160
51pin二極管的結構160
52pin二極管的IV特性161
53pin二極管的設計和阻斷電壓162
54正向導通特性167
541載流子的分布167
542結電壓169
543中間區域兩端之間的電壓降170
544在霍爾近似中的電壓降171
545發射極復合、有效載流子壽命和正向特性173
546正向特性和溫度的關系179
55儲存電荷和正向電壓之間的關系180
56功率二極管的開通特性181
57功率二極管的反向恢復183
571定義183
572與反向恢復有關的功率損耗189
573反向恢復：二極管中電荷的動態192
574具有*佳反向恢復特性的快速二極管199
575MOS控制二極管208
58展望213
參考文獻214
第6章肖特基二極管216
61金屬半導體結的能帶圖216
62肖特基結的IV特性217
63肖特基二極管的結構219
64單極型器件的歐姆電壓降220
641額定電壓為200V和100V的硅肖特基二極管與pin二極管的比較222
65SiC肖特基二極管223
651SiC單極二極管特性223
652組合pin肖特基二極管226
653SiC肖特基和MPS二極管的開關特性和耐用性230
參考文獻232
第7章雙極型晶體管234
71雙極型晶體管的工作原理234
72功率雙極型晶體管的結構235
73功率晶體管的IV特性236
74雙極型晶體管的阻斷特性237
75雙極型晶體管的電流增益239
76基區展寬、電場再分布和二次擊穿243
77硅雙極型晶體管的局限性245
78SiC雙極型晶體管245
參考文獻246
第8章晶閘管248
81結構與功能模型248
82晶閘管的IV特性251
83晶閘管的阻斷特性252
84發射極短路點的作用253
85晶閘管的觸發方式254
86觸發前沿擴展255
87隨動觸發與放大門極256
88晶閘管關斷和恢復時間258
89雙向晶閘管260
810門極關斷晶閘管261
811門極換流晶閘管265
參考文獻268
第9章MOS晶體管及場控寬禁帶器件270
91MOSFET的基本工作原理270
92功率MOSFET的結構271
93MOS晶體管的IV特性272
94MOSFET溝道的特性273
95歐姆區域276
96現代MOSFET的補償結構277
97MOSFET特性的溫度依賴性281
98MOSFET的開關特性282
99MOSFET的開關損耗286
910MOSFET的安全工作區287
911MOSFET的反并聯二極管288
912SiC場效應器件292
9121SiC JFET292
9122SiC MOSFET294
9123SiC MOSFET體二極管296
913GaN橫向功率晶體管297
914GaN縱向功率晶體管302
915展望303
參考文獻303
第10章IGBT307
101功能模式307
102IGBT的IV特性309
103IGBT的開關特性310
104基本類型：PTIGBT和NPTIGBT312
105IGBT中的等離子體分布315
106提高載流子濃度的現代IGBT317
1061高n發射極注入比的等離子增強317
1062無閂鎖元胞幾何圖形320
1063“空穴勢壘”效應321
1064集電極端的緩沖層322
107具有雙向阻斷能力的IGBT324
108逆導型IGBT325
109IGBT的潛力329
參考文獻332
第11章功率器件的封裝335
111封裝技術面臨的挑戰335
112封裝類型336
1121餅形封裝338
1122TO系列及其派生339
1123模塊342
113材料的物理特性347
114熱仿真和熱等效電路349
1141熱參數與電參數間的轉換349
1142一維等效網絡354
1143三維熱網絡356
1144瞬態熱阻357
115功率模塊內的寄生電學元件359
目錄ⅩⅦⅩⅧ功率半導體器件——原理、特性和可靠性（原書第2版）1151寄生電阻359
1152寄生電感362
1153寄生電容365
116先進的封裝技術367
1161銀燒結技術368
1162擴散釬焊370
1163芯片頂部接觸的先進技術371
1164改進后的襯底375
1165先進的封裝理念376
參考文獻379
第12章可靠性和可靠性試驗383
121提高可靠性的要求383
122高溫反向偏置試驗385
123高溫柵極應力試驗388
124溫度濕度偏置試驗390
125高溫和低溫存儲試驗392
126溫度循環和溫度沖擊試驗393
127功率循環試驗395
1271功率循環試驗的實施395
1272功率循環誘發的失效機理400
1273壽命預測模型407
1274失效模式的離析410
1275功率循環的任務配置和疊加414
1276TO封裝模塊的功率循環能力417
1277SiC器件的功率循環418
128宇宙射線失效422
1281鹽礦試驗422
1282宇宙射線的由來423
1283宇宙射線失效模式426
1284基本的失效機理模型427
1285基本的設計規則429
1286考慮nn 結后的擴展模型432
1287擴展模型設計的新進展435
1288SiC器件的宇宙射線穩定性437
129可靠性試驗結果的統計評估440
1210可靠性試驗的展望449
參考文獻450
第13章功率器件的損壞機理456
131熱擊穿——溫度過高引起的失效456
132浪涌電流458
133過電壓——電壓高于阻斷能力461
134動態雪崩466
1341雙極型器件中的動態雪崩466
1342快速二極管中的動態雪崩467
1343具有高動態雪崩能力的二極管結構475
1344IGBT關斷過程中的過電流和動態雪崩479
135超出GTO的*大關斷電流481
136IGBT的短路和過電流482
1361短路類型Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ482
1362短路的熱、電應力486
1363短路時的電流絲491
137IGBT電路失效分析494
參考文獻496
第14章功率器件的感應振蕩和電磁干擾500
141電磁干擾的頻率范圍500
142LC振蕩502
1421并聯IGBT的關斷振蕩502
1422階躍二極管的關斷振蕩504
1423寬禁帶器件的關斷振蕩506
143渡越時間振蕩508
1431等離子體抽取渡越時間振蕩509
1432動態碰撞電離渡越時間振蕩515
1433動態雪崩振蕩519
1434傳輸時間振蕩的總結521
參考文獻522
第15章集成電力電子系統524
151定義和基本特征524
152單片集成系統——功率IC526
153GaN單片集成系統529
154印制電路板上的系統集成531
155混合集成533
參考文獻539
附錄ASi與4HSiC中載流子遷移率的建模參數541
附錄B復合中心及相關參數543
附錄C雪崩倍增因子與有效電離率548
附錄D封裝技術中重要材料的熱參數552
附錄E封裝技術中重要材料的電參數553
展開全部
功率半導體器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 作者簡介
作者Josef Lutz博士是德國開姆尼茨工業大學的教授，Heinrich Schlangenotto博士是達姆施塔特工業大學的教授，Rik De Doncker博士是亞琛工業大學的教授。他們長期從事功率半導體器件的研究和教學工作，在業內享有盛譽。Uwe Scheuermann博士在德國Semikron公司從事功率半導體器件的開發研究工作，特別在封裝、可靠性和系統集成方面做出了重要貢獻。
書友推薦
- >
姑媽的寶刀
- >
有舍有得是人生
- >
伊索寓言-世界文學名著典藏-全譯本
- >
新文學天穹兩巨星--魯迅與胡適/紅燭學術叢書(紅燭學術叢書)
- >
推拿
- >
我與地壇
- >
詩經-先民的歌唱
- >
巴金－再思錄
本類暢銷
