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太陽能光伏技術(第2版) 版權信息
- ISBN：9787560540306
- 條形碼：9787560540306 ; 978-7-5605-4030-6
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
太陽能光伏技術(第2版) 本書特色
德國利用基礎物理研究的深厚功底，并發揮其傳統的化工和機械制造業優勢，因而在太陽電池結構設計、生產工藝和自動化設備研發領域領先全球。漢斯-京特·瓦格曼、海因茨·艾施里希所著的《太陽能光伏技術（第2版）》深入淺出地詳細地講解了各種材料的太陽電池原理，并簡要介紹了目前主流生產工藝，是一本傳授太陽能光伏技術入門知識的優秀教材。譯者翻譯本書的主要目的，是向國內讀者介紹德國先進的光伏理論技術，以及光伏研究和光伏專業課程教材。
太陽能光伏技術(第2版) 內容簡介
《德國半導體應用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》詳細地論述了太陽能光伏技術的物理概念、數學推導、常用科技表達（發電曲線、光譜響應、轉換效率等），并且介紹了各類半導體太陽電池和新型太陽電池的原理，以及太陽電池的生產方法與工藝。《德國半導體應用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》的練習題與太陽電池的具體工程設計緊密聯系。輔助描述和分析了太陽電池的工作原理，是對《德國半導體應用經典教材:太陽能光伏技術(第2版)》理論部分的補充，并可指導相關的分析實驗。
太陽能光伏技術(第2版) 目錄
譯者前言
中文版前言
符號表
第1章 前言
1．1 光伏的歷史發展
第2章 太陽輻射——光伏能源
2．1 輻射源太陽與輻射接收者地球
2．2 太陽——黑體輻射
2．3 地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章 用于光伏能量轉換的半導體材料
3．1 固體吸收電磁輻射
3．2 光伏極限轉換效率
3．3 輻射吸收導致載流子生成
3．4 太陽電池的半導體技術基礎
3．5 勻質半導體材料中的剩余載流子特征
3．6 分離激發剩余載流子的方法
3．7 反射損失
第4章 太陽電池的晶態半導體材料基礎
4．1 太陽電池中的半導體二極管
4．2 晶體太陽電池的基本模型
4．2．1 電子電流
4．2．2 空穴電流
4．2．3 總電流
4．2．4 光譜靈敏度
4．3 標準光譜照射
4．4 太陽電池的技術參數
4．5 晶體太陽電池的等效電路圖
4．6 硅二極管太陽電池的極限轉換效率
第5章 單晶硅太陽電池
5．1 關于光譜靈敏度的討論
5．2 發電特性的溫度特性
5．3 改進型單晶硅太陽電池的參數
5．4 晶體培育
5．5 制備
5．6 高功率太陽電池
5．7 航天應用中的太陽電池特性退化現象（即輻射損傷）
第6章 多晶硅太陽電池
6．1 SGS太陽能級硅生產原料的制備
6．2 新型硅精煉工藝
6．3 多晶硅模塊鑄造法
6．4 多晶硅中的晶界模型
6．4．1 光譜剩余載流子密度的計算
6．4．2 單一微晶體中光電流密度的二維邊界值問題
6．5 光譜靈敏度與光電流密度的計算
6．6 制備
第7章 化合物半導體太陽電池
7．1 太陽電池材料硅和砷化鎵的對比
7．2 具有AlGaAs窗口層的GaAs太陽電池
7．3 AlGaAs／GaAs太陽電池的模型計算
7．4 晶體培育
7．5 GaAs太陽電池的液相外延生長
7．6 制備GaAs太陽電池的LPE工藝流程
7．7 用于制備薄膜結構的III／V族半導體氣相外延技術
7．8 III／V族半導體材料的疊層結構太陽電池
7．9 III／V族化合物半導體太陽電池的聚光技術
第8章 非晶硅薄膜太陽電池
8．1 非晶硅特性
8．2 非晶硅的摻雜
8．3 a-Si：H太陽電池的物理模型
8．3．1 暗電流
8．3．2 光電流
8．4 制備
8．5 如何減小光退化效應
8．6 a-Si：H太陽電池的生產制備
第9章 其他類型太陽電池
9．1 晶體硅雙面光敏MIS太陽電池
9．2 銅銦雙硒太陽電池
9．3 a-Si：H／c-Si太陽電池
9．4 球型太陽電池
9．5 有機半導體太陽電池
9．5．1 有機分子半導體
9．5．2 有機材料太陽電池
9．5．3 染料太陽電池
9．6 第三代太陽電池
第10章 展望
附錄A 計算與表格
A．1 計算極限轉換率的積分解法
A．2 擴散方程的求解
A．3 標準光譜AMl．5
A．4 T=300K下的硅材料吸收系數
附錄B 習題
習題2．1 歐洲不同地點的AM值
習題2．2 估算太陽常數E0
習題2．3 估算柏林地區的AM（1．5 ）值
習題2．4 太陽日常軌道以及柏林地區所處黃道面上接受的太陽輻射強度和太陽能量的日均及年均量
習題3．1 丹伯太陽電池
習題3．2 載流子擴散微分方程的二維數值解
習題3．3 在陽光照射條件下，尺寸為B×H的p型硅片內的電子分布△n（x，y）偏微分方程的解析解
習題5．1 硅太陽電池分析
習題5．01發電特性曲線測量
習題5．02光譜靈敏度測量
習題5．03測量太陽電池的空間電荷區電容
習題5．04利用兩種不同照射強度E1和E2下測得的短路電流Ipk（E）和開路電壓UL（E）確定二極管反向飽和電流I0
習題5．05根據先前確定的反向飽和電流I0曲線上開路點UL=U（I=0）的斜率計算寄生串聯電阻Rs
習題5．06根據先前確定的Rs，通過反向飽和電流I0曲線上短路點Ik=I（U=0）的斜率計算寄生并聯電阻Rp
習題5．07計算基底和發射極內的載流子擴散系數
習題5．08基底內少數載流子的擴散長度
習題5．09計算較高摻雜區中的擴散長度
習題5．1 0外量子效率Qext（γ）的測量與模擬
習題5．1 1使用半導體參數模擬發電特性曲線I（U）
習題7．1 六層太陽電池的極限轉換率
附錄C 實踐練習
C1 柏林工業大學的硅太陽電池簡易工藝
C2 利用簡易材料制作染料太陽電池
參考文獻
索引
中文版前言
符號表
第1章 前言
1．1 光伏的歷史發展
第2章 太陽輻射——光伏能源
2．1 輻射源太陽與輻射接收者地球
2．2 太陽——黑體輻射
2．3 地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章 用于光伏能量轉換的半導體材料
3．1 固體吸收電磁輻射
3．2 光伏極限轉換效率
3．3 輻射吸收導致載流子生成
3．4 太陽電池的半導體技術基礎
3．5 勻質半導體材料中的剩余載流子特征
3．6 分離激發剩余載流子的方法
3．7 反射損失
第4章 太陽電池的晶態半導體材料基礎
4．1 太陽電池中的半導體二極管
4．2 晶體太陽電池的基本模型
4．2．1 電子電流
4．2．2 空穴電流
4．2．3 總電流
4．2．4 光譜靈敏度
4．3 標準光譜照射
4．4 太陽電池的技術參數
4．5 晶體太陽電池的等效電路圖
4．6 硅二極管太陽電池的極限轉換效率
第5章 單晶硅太陽電池
5．1 關于光譜靈敏度的討論
5．2 發電特性的溫度特性
5．3 改進型單晶硅太陽電池的參數
5．4 晶體培育
5．5 制備
5．6 高功率太陽電池
5．7 航天應用中的太陽電池特性退化現象（即輻射損傷）
第6章 多晶硅太陽電池
6．1 SGS太陽能級硅生產原料的制備
6．2 新型硅精煉工藝
6．3 多晶硅模塊鑄造法
6．4 多晶硅中的晶界模型
6．4．1 光譜剩余載流子密度的計算
6．4．2 單一微晶體中光電流密度的二維邊界值問題
6．5 光譜靈敏度與光電流密度的計算
6．6 制備
第7章 化合物半導體太陽電池
7．1 太陽電池材料硅和砷化鎵的對比
7．2 具有AlGaAs窗口層的GaAs太陽電池
7．3 AlGaAs／GaAs太陽電池的模型計算
7．4 晶體培育
7．5 GaAs太陽電池的液相外延生長
7．6 制備GaAs太陽電池的LPE工藝流程
7．7 用于制備薄膜結構的III／V族半導體氣相外延技術
7．8 III／V族半導體材料的疊層結構太陽電池
7．9 III／V族化合物半導體太陽電池的聚光技術
第8章 非晶硅薄膜太陽電池
8．1 非晶硅特性
8．2 非晶硅的摻雜
8．3 a-Si：H太陽電池的物理模型
8．3．1 暗電流
8．3．2 光電流
8．4 制備
8．5 如何減小光退化效應
8．6 a-Si：H太陽電池的生產制備
第9章 其他類型太陽電池
9．1 晶體硅雙面光敏MIS太陽電池
9．2 銅銦雙硒太陽電池
9．3 a-Si：H／c-Si太陽電池
9．4 球型太陽電池
9．5 有機半導體太陽電池
9．5．1 有機分子半導體
9．5．2 有機材料太陽電池
9．5．3 染料太陽電池
9．6 第三代太陽電池
第10章 展望
附錄A 計算與表格
A．1 計算極限轉換率的積分解法
A．2 擴散方程的求解
A．3 標準光譜AMl．5
A．4 T=300K下的硅材料吸收系數
附錄B 習題
習題2．1 歐洲不同地點的AM值
習題2．2 估算太陽常數E0
習題2．3 估算柏林地區的AM（1．5 ）值
習題2．4 太陽日常軌道以及柏林地區所處黃道面上接受的太陽輻射強度和太陽能量的日均及年均量
習題3．1 丹伯太陽電池
習題3．2 載流子擴散微分方程的二維數值解
習題3．3 在陽光照射條件下，尺寸為B×H的p型硅片內的電子分布△n（x，y）偏微分方程的解析解
習題5．1 硅太陽電池分析
習題5．01發電特性曲線測量
習題5．02光譜靈敏度測量
習題5．03測量太陽電池的空間電荷區電容
習題5．04利用兩種不同照射強度E1和E2下測得的短路電流Ipk（E）和開路電壓UL（E）確定二極管反向飽和電流I0
習題5．05根據先前確定的反向飽和電流I0曲線上開路點UL=U（I=0）的斜率計算寄生串聯電阻Rs
習題5．06根據先前確定的Rs，通過反向飽和電流I0曲線上短路點Ik=I（U=0）的斜率計算寄生并聯電阻Rp
習題5．07計算基底和發射極內的載流子擴散系數
習題5．08基底內少數載流子的擴散長度
習題5．09計算較高摻雜區中的擴散長度
習題5．1 0外量子效率Qext（γ）的測量與模擬
習題5．1 1使用半導體參數模擬發電特性曲線I（U）
習題7．1 六層太陽電池的極限轉換率
附錄C 實踐練習
C1 柏林工業大學的硅太陽電池簡易工藝
C2 利用簡易材料制作染料太陽電池
參考文獻
索引
展開全部
太陽能光伏技術(第2版) 作者簡介
漢斯-京特·瓦格曼，德國柏林工業大學高頻與半導體系統研究所教授。 海因茨·艾施里希，博士，德國博世太陽能公司工程師。
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