包郵模擬CMOS集成電路設計(第2版)/(美)畢查德.拉扎維/國外名校最新教材精選

作者：【美】畢查德·拉扎維

出版社：西安交通大學出版社出版時間：2018-08-01

開本：其他頁數： 724

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版權信息
內容簡介
目錄
作者簡介

模擬CMOS集成電路設計(第2版)/(美)畢查德.拉扎維/國外名校最新教材精選版權信息

ISBN：9787569309928
條形碼：9787569309928 ; 978-7-5693-0992-8
裝幀：一般膠版紙
冊數：暫無
重量：暫無
所屬分類：
工業技術
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電子通信
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微電子學、集成電路（IC）

模擬CMOS集成電路設計(第2版)/(美)畢查德.拉扎維/國外名校最新教材精選內容簡介

本書是模擬CMOS集成電路設計方面的經典教材，介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計，著重講解該技術的很新進展和設計實例，從MOSFET器件的基本物理特性開始，逐章分析CMOS放大單元電路、差分放大器、頻率響應、噪聲、反饋放大器與穩定性、運算放大器、電壓基準源與電流基源、離散時間系統、差分電路及反饋系統中的非線性、振蕩器和鎖相環等基礎模擬電路的分析與設計。本書還介紹了集成電路的基本制造工藝、版圖和封裝設計的基本原則。本書自出版以來得到了靠前外讀者的好評和青睞，被許多靠前知名大學選為教科書。同時，由于原著者在世界知名很好公司的豐富研究經歷，使本書也很好適合作為CMOS模擬集成電路設計或相關領域的研究人員和工程技術人員的參考書。

模擬CMOS集成電路設計(第2版)/(美)畢查德.拉扎維/國外名校最新教材精選目錄

第2版譯者序
第1版譯者序
第2版前言
第1版前言
第2版致謝
第1版致謝
作者簡介

第1章模擬電路設計緒論
1．1 模擬電路的重要性
1．1．1 信號的檢測與處理
1．1．2 數字信號傳輸中的模擬設計
1．1．3 需求旺盛的模擬設計
1．1．4 模擬設計的挑戰
1．2 研究模擬集成電路的重要性
1．3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1．4 本書的特點
1．5 電路設計的抽象級別

第2章 MOS器件物理基礎
2．1 基本概念
2．1．1 MOSFET開關
2．1．2 MOSFET的結構
2．1．3 MOS符號
2．2 MOS的I-V特性
2．2．1 閾值電壓
2．2．2 I-V特性的推導
2．2．3 MOSFET的跨導
2．3 二級效應
2．4 MOS器件模型
2．4．1 MOS器件版圖
2．4．2 MOS器件電容
2．4．3 MOS小信號模型
2．4．4 MOS SPICE模型
2．4．5 NMOS與PMOS器件的比較
2．4．6 長溝道器件與短溝道器件的比較
2．5 附錄A：鰭式場效應晶體管（FinFET）
2．6 附錄B：用作電容器的MOS器件的特性
參考文獻
習題

第3章單級放大器
3．1 應用
3．2 概述
3．3 共源級
3．3．1 采用電阻作負載的共源級
3．3．2 采用二極管連接型器件作負載的共源級
3．3．3 采用電流源作負載的共源級
3．3．4 有源負載的共源級
3．3．5 工作在線性區的MOS為負載的共源級
3．3．6 帶源極負反饋的共源級
3．4 源跟隨器
3．5 共柵級
3．6 共源共柵級
3．6．1 折疊式共源共柵
3．7 器件模型的選擇
習題

第4章差動放大器
4．1 單端與差動的工作方式
4．2 基本差動對
4．2．1 定性分析
4．2．2 定量分析
4．2．3 帶源極負反饋的差動對
4．3 共模響應
4．4 MOS為負載的差動對
4．5 吉爾伯特單元
參考文獻
習題

第5章電流鏡與偏置技術
5．1 基本電流鏡
5．2 共源共柵電流鏡
……

第6章放大器的頻率特性
第7章噪聲
第8章反饋
第9章運算放大器
第10章穩定性與頻率補償
第11章納米設計分析
第12章帶隙基準
第13章開關電容電路導論
第14章非線性與不匹配
第15章振蕩器
第16章鎖相環
第17章短溝道效應與器件模型
第18章 CMOS工藝技術
第19章版圖與封裝

索引

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模擬CMOS集成電路設計(第2版)/(美)畢查德.拉扎維/國外名校最新教材精選作者簡介

　　畢查德·拉扎維，美國加利福尼亞大學洛杉磯分校電氣工程學院教授，獲獎無數的作家、研究人員、教師。他的研究領域包括無線收發機、寬帶數據通信電路、數據轉換器。他還是IEEE的院士、IEEE講師，被公認為國際固體電路會議（ISSCC）近50年中10位作者之一。在模擬電路、射頻、高速電路的分析和設計領域，他已經出版了7本經典巨著。

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