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華年日拾——梁駿吾院士80華誕記懷 版權信息
- ISBN：9787030384447
- 條形碼：9787030384447 ; 978-7-03-038444-7
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
華年日拾——梁駿吾院士80華誕記懷 內容簡介
《華年日拾：梁駿吾院士80華誕記懷》梳理和總結了中國工程院院土、物理學家梁駿吾50多年來從事半導體材料和材料物理學科研活動的歷程。主要包括科研成果、學術論文、專利發明、學術報告、獲獎情況和生平年表等內容。梁駿吾是我國早期半導體硅材料的奠基人，長期從事半導體硅材料的物理性質、硅單品的質量、硅單晶中的雜質行為、微缺陷等方面的研究，以及開拓新型半導體硅單晶材料的研究。
華年日拾——梁駿吾院士80華誕記懷 目錄
序
我國新型硅材料的開拓者 記中國科學院半導體研究所研究員梁駿吾
學術論文
Investigation of Heterostructure Defects for IPE Ga1—xAlxAs／GaAs
Investigation of N—doped FZ Si Crystals
The Interaction Between Impurities and Defects in Semiconductors
Behaviors of Dislocations During Sl's Growth and Crystal Quality Assessment
Thermodynamic and Fluid Dynamic Analyses of GaAs Movpe Process
Photoluminescence Spectrum Study of the GaAs／Si Epilayer Grown by using a Thin Amorphous Si Film as Buffer Layer
Dissociated Screw Dislocation Which Can Relieve Strain Energy in the Epitaxial Layer of GeSi on Si（001）
Hrtem Study of Dislocations in GeSi／Si Heterostructures Grown by VPE
Kinetics and Transport Model for the Chemical Vapor Epitaxy of GexSi1—x
The Dependence of GexSi1—x Epitaxial Growth on GeH4 Flow Using Chemical Vapour Deposition
Physical Properties and Growth of SiC
Study on Photoluminescence Spectra of SiC
Raman Study on Residual Strains in Thin 3C—SiC Epitaxial Layers Grown on Si（001）
Investigation of {111} A and {111} B Planes of c—GaN Epilayers Grown on GaAs（001）by MOCVD
Microtwins and Twin Inclusions in the 3C—SiC Epilayers grown on Si（001） by APCVD
Determination of Structure and Polarity of SiC Single Crystal by X—Ray Diffraction Technique
Is Thin—Film Solar Cell Technology Promising？
Optical and Electrical Properties of GaN：Mg Grown by MOCVD
Defect Cluster—Induced X—Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD
Growth of AlGaN Epitaxial Film with High Al Content by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
Temperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device Characteristics
Abatement of Waste Gases and Water During the Processes of Semiconductor Fabrication
Control of Arsenic Pollution from Waste Gases During Fabrication of Semiconductor
O летучести окиси бора в тешии и воДороДе при НаЛичии воДяНого пара
O расТворимосТи кислорДа в ЖиДком кремНии
直拉硅單晶碳沾污的研究
LPE Ga1—xAlxAs／GaAs界面缺陷觀察
Si—C相圖的研究及碳對硅單晶質量的影響
摻氮區熔硅單晶深能級的研究
Ge在GaAs液相外延中的行為
雜質在硅和砷化鎵中行為
兩性雜質鍺在IPE GaAs中分凝系數和占位比的計算
半導體（目錄）
水平式矩形硅外延系統的計算機模擬
低壓MOCVD生長的InGaAs／InP量子阱的光致發光譜線線寬及量子尺寸效應的測量分析
GaAs／Si外延層X射線雙晶衍射搖擺曲線的動力學模擬和位錯密度的測量
SIPOS膜的結構組成
半導體材料與器件生產工藝尾氣中砷、磷、硫的治理及檢測
GeSi CVD系統的流體力學和表面反應動力學模型
MOVPE生長Ca（CH3）3—AsH3—H2體系中砷的形態轉化及砷的治理
用固相外延方法制備Si1—x—yGexCy三元材料
興建年產一千噸電子級多晶硅工廠的思考
電子級多晶硅的生產工藝
中國信息產業領域相關重點基礎材料科技發展戰略研究
中國硅材料工業的前景與挑戰
半導體硅片生產形勢的分析
光伏產業面臨多晶硅瓶頸及對策
“十五”期間中國半導體硅材料發展戰略思路和建議
薄膜光伏電池中的材料問題
降低超大規模集成電路用高純水中總有機碳的能量傳遞光化學模型
附錄
附錄一 梁駿吾活動年表
附錄二 梁駿吾獲獎情況
附錄三 所獲得的專利目錄
附錄四 學術報告目錄
附錄五 工程院院土建議
后記
我國新型硅材料的開拓者 記中國科學院半導體研究所研究員梁駿吾
學術論文
Investigation of Heterostructure Defects for IPE Ga1—xAlxAs／GaAs
Investigation of N—doped FZ Si Crystals
The Interaction Between Impurities and Defects in Semiconductors
Behaviors of Dislocations During Sl's Growth and Crystal Quality Assessment
Thermodynamic and Fluid Dynamic Analyses of GaAs Movpe Process
Photoluminescence Spectrum Study of the GaAs／Si Epilayer Grown by using a Thin Amorphous Si Film as Buffer Layer
Dissociated Screw Dislocation Which Can Relieve Strain Energy in the Epitaxial Layer of GeSi on Si（001）
Hrtem Study of Dislocations in GeSi／Si Heterostructures Grown by VPE
Kinetics and Transport Model for the Chemical Vapor Epitaxy of GexSi1—x
The Dependence of GexSi1—x Epitaxial Growth on GeH4 Flow Using Chemical Vapour Deposition
Physical Properties and Growth of SiC
Study on Photoluminescence Spectra of SiC
Raman Study on Residual Strains in Thin 3C—SiC Epitaxial Layers Grown on Si（001）
Investigation of {111} A and {111} B Planes of c—GaN Epilayers Grown on GaAs（001）by MOCVD
Microtwins and Twin Inclusions in the 3C—SiC Epilayers grown on Si（001） by APCVD
Determination of Structure and Polarity of SiC Single Crystal by X—Ray Diffraction Technique
Is Thin—Film Solar Cell Technology Promising？
Optical and Electrical Properties of GaN：Mg Grown by MOCVD
Defect Cluster—Induced X—Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVD
Growth of AlGaN Epitaxial Film with High Al Content by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
Temperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device Characteristics
Abatement of Waste Gases and Water During the Processes of Semiconductor Fabrication
Control of Arsenic Pollution from Waste Gases During Fabrication of Semiconductor
O летучести окиси бора в тешии и воДороДе при НаЛичии воДяНого пара
O расТворимосТи кислорДа в ЖиДком кремНии
直拉硅單晶碳沾污的研究
LPE Ga1—xAlxAs／GaAs界面缺陷觀察
Si—C相圖的研究及碳對硅單晶質量的影響
摻氮區熔硅單晶深能級的研究
Ge在GaAs液相外延中的行為
雜質在硅和砷化鎵中行為
兩性雜質鍺在IPE GaAs中分凝系數和占位比的計算
半導體（目錄）
水平式矩形硅外延系統的計算機模擬
低壓MOCVD生長的InGaAs／InP量子阱的光致發光譜線線寬及量子尺寸效應的測量分析
GaAs／Si外延層X射線雙晶衍射搖擺曲線的動力學模擬和位錯密度的測量
SIPOS膜的結構組成
半導體材料與器件生產工藝尾氣中砷、磷、硫的治理及檢測
GeSi CVD系統的流體力學和表面反應動力學模型
MOVPE生長Ca（CH3）3—AsH3—H2體系中砷的形態轉化及砷的治理
用固相外延方法制備Si1—x—yGexCy三元材料
興建年產一千噸電子級多晶硅工廠的思考
電子級多晶硅的生產工藝
中國信息產業領域相關重點基礎材料科技發展戰略研究
中國硅材料工業的前景與挑戰
半導體硅片生產形勢的分析
光伏產業面臨多晶硅瓶頸及對策
“十五”期間中國半導體硅材料發展戰略思路和建議
薄膜光伏電池中的材料問題
降低超大規模集成電路用高純水中總有機碳的能量傳遞光化學模型
附錄
附錄一 梁駿吾活動年表
附錄二 梁駿吾獲獎情況
附錄三 所獲得的專利目錄
附錄四 學術報告目錄
附錄五 工程院院土建議
后記
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