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太陽能電池的硅晶體生長 版權信息
- ISBN：9787313190482
- 條形碼：9787313190482 ; 978-7-313-19048-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
太陽能電池的硅晶體生長 本書特色
《太陽能電池的硅晶體生長》的寫作目的是為了向讀者介紹應用于太陽能電池的各類硅晶體生長機理、模擬、工藝及特性。本書首先論述了制備硅原料的冶金級硅方法、西門子法和冶金法，然后討論了生產單晶硅棒的切克勞斯基法和區熔法、生長多晶硅鑄錠的定向凝固法、鑄造單晶硅技術以及多晶硅鑄錠的亞晶界問題，再論述了可以替代硅片的帶硅和球形硅技術，接著解釋了制備晶體硅薄膜太陽能電池的液相外延法、氣相外延法、閃光燈退火、鋁誘導層交換，*后提供制備太陽能級硅需要的熱化學數據庫和動力學數據庫。《太陽能電池的硅晶體生長》可以作為一本參考書，適合物理系、材料系、化學系、光學系、電子工程系、動力與能源系或其他相關專業的本科生、研究生和教師，學習研究太陽能硅晶體生長技術。本書也可以作為太陽能研究機構科學家或太陽能企業工程師的參考資料，為研究、開發、生產各種硅晶體提供幫助。
太陽能電池的硅晶體生長 內容簡介
《太陽能電池的硅晶體生長》的寫作目的是為了向讀者介紹應用于太陽能電池的各類硅晶體生長機理、模擬、工藝及特性。本書首先論述了制備硅原料的冶金級硅方法、西門子法和冶金法，然后討論了生產單晶硅棒的切基法和區熔法、生長多晶硅鑄錠的定向凝固法、鑄造單晶硅技術以及多晶硅鑄錠的亞晶界問題，再論述了可以替代硅片的帶硅和球形硅技術，接著解釋了制備晶體硅薄膜太陽能電池的液相外延法、氣相外延法、閃光燈退火、鋁誘導層交換，很后提供制備太陽能級硅需要的熱化學數據庫和動力學數據庫。《太陽能電池的硅晶體生長》可以作為一本參考書，適合物理系、材料系、化學系、光學系、電子工程系、動力與能源系或其他相關專業的本科生、研究生和教師，學習研究太陽能硅晶體生長技術。本書也可以作為太陽能研究機構科學家或太陽能企業工程師的參考資料，為研究、開發、生產各種硅晶體提供幫助。
太陽能電池的硅晶體生長 目錄
名詞縮寫表
參數符號表
1硅原料
1.1概論
1.1.1主要技術路線
1.1.2雜質
1.2冶金級硅
1.3西門子法
1.4冶金法
1.4.1氧化去除硼
1.4.1.1鑄桶提純熔渣
1.4.1.2熔渣特性
1.4.2與水蒸汽反應去除硼
1.4.3真空處理去除磷
1.4.4凝固提純
1.4.5溶劑提純
1.4.6浸出去除雜質
1.4.7電解/電化學純化
1.4.8沉淀去除夾雜
1.4.9過濾去除夾雜
參考文獻
2切克勞斯基法
2.1概論
2.2熱場設計
2.2.1功率和生長速率
2.2.2界面形狀和熱應力
2.2.3氬氣消耗和石墨降解
2.2.4產額提升
2.3連續加料
2.3.1數次加料
2.3.2鍍膜坩堝
2.3.3大尺寸和連續生長
2.4改善晶體質量
2.5小結
參考文獻
3區熔法
3.1概論
3.2原料棒
3.2.1西門子法和硅烷法
3.2.2切克勞斯基法
3.2.3顆粒狀原料
3.3區熔法的摻雜
3.4技術限制
3.5二次區熔法
3.6區熔法的潛力
3.7小結
參考文獻
4定向凝固法
4.1概論
4.2控制結晶過程
4.3晶體中的雜質
4.4凝固的三維效應
4.5小結
參考文獻
5鑄錠單晶硅
5.1概論
5.2小平面枝晶
5.3平行孿晶
5.4枝晶生長理論模型
參考文獻
6亞晶界
6.1概論
6.2亞晶界的結構分析
6.3亞晶界的電學特性
6.4亞晶界的產生機理
6.5小結
參考文獻
7帶硅生長
7.1概論
7.2帶硅技術的各種類型
7.2.1第I類帶硅
7.2.1.1邊緣限制薄膜生長
7.2.1.2線帶
7.2.2第II類帶硅
7.2.2.1襯底帶硅生長
7.2.3技術比較
7.3材料特性和太陽能電池工藝
7.3.1耐火材料
7.3.2帶硅材料特性
7.3.2.1邊緣限制薄膜生長和線帶
7.3.2.2襯底帶硅生長
7.3.3帶硅太陽能電池
7.3.3.1帶硅的氫化
7.3.3.2太陽能電池工藝
7.4小結
參考文獻
8球形硅
8.1概論
8.2過冷熔體的晶體生長
8.3枝晶的分裂
8.4一步滴管法
8.5小結
參考文獻
9液相外延法
9.1概論
9.2生長動力學
9.3溶劑和襯底的優化
9.3.1溶劑的選擇
9.3.2襯底表面的自生氧化物
9.4實驗結果
9.4.1外延層厚度和生長速率
9.4.2外延層的摻雜和電學特性
9.5多晶硅襯底上的生長
9.5.1太陽能電池特性
9.6低溫液相外延法
9.7異質襯底液相外延法
9.8外延橫向過度生長
9.9高生產速率液相外延法
9.10小結
參考文獻
10氣相外延法
10.1概論
10.2理論分析
10.2.1流體力學
10.2.2生長動力學
10.2.2.1氣體中氣流和襯底上氣流
10.2.2.2生長速率
10.2.2.3邊界層模型
10.3實驗方法
10.3.1SiH2Cl2/H2系統
10.3.2外延層的摻雜
10.3.2.1摻雜水平
10.3.2.2摻雜分布
10.4外延生長設備
10.5小結
參考文獻
11閃光燈退火
11.1概論
11.2實驗設備
11.3熱擴散長度
11.4相變
11.5輻照度控制
11.6制備太陽能電池
11.7多晶硅薄膜的微結構
11.8小結
參考文獻
12鋁誘導層交換
12.1概論
12.2總體技術
12.3動力學分析
12.4結構特性和電學特性
12.5滲透膜的影響
12.6理論模型
12.7光伏應用
12.8小結
參考文獻
13熱化學數據庫和動力學數據庫
13.1概論
13.2熱化學數據庫
13.2.1熱力學描述
13.2.1.1元素和化學計量化合物
13.2.1.2溶液
13.2.1.3溶解度
13.2.1.4平衡分布系數
13.2.1.5退縮性溶解度
13.2.2典型實例
13.3動力學數據庫
13.3.1雜質擴散率
13.3.2典型實例
13.4應用熱化學數據庫和動力學數據庫
13.4.1溶解度和分布系數
13.4.2表面張力
13.4.3多晶硅中雜質的晶界分凝
13.4.4確定潔凈區寬度
13.5小結
參考文獻
英漢索引
漢英索引
展開全部
太陽能電池的硅晶體生長 作者簡介
高揚，2002年上海交通大學應用物理學學士，2004年美國光學排名前5的University of Central Florida物理學碩士，導師為互聯網光纖通訊用激光傳輸速度世界紀錄保持者。回國工作12年，主要供職于美資世界最大光纖通訊器件公司和美資太陽能咨詢公司等單位，對各種新型太陽能電池技術的發展都在實際工作中有深刻的理解，對太陽能多晶硅/硅片/電池/組件/逆變器/支架/儲能的研發/生產/質量/設備/輔材也有較全面的認識。目前，獨立經營太陽能咨詢外貿公司，主要服務于歐美亞洲的企業客戶,業績良好。
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