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碳化硅技術基本原理-生長.表征.器件和應用 版權信息
- ISBN：9787111586807
- 條形碼：9787111586807 ; 978-7-111-58680-7
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
碳化硅技術基本原理-生長.表征.器件和應用 本書特色
本書是一本有關碳化硅材料、器件工藝、器件和應用方面的書籍，其主題包括碳化硅的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的表征、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念，單／雙極型器件的物理和特征、擊穿現象、高頻和高溫器件，以及碳化硅器件的系統應用，涵蓋了基本概念和新發展現狀，并針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。
碳化硅技術基本原理-生長.表征.器件和應用 內容簡介
本書作者在碳化硅研發領域有著總共45年以上的經歷，是當今碳化硅研發和功率半導體領域中的領軍人物。通過兩位專家的執筆，全景般展示了碳化硅領域的知識和進展。目前，隨著碳化硅基功率器件進入實用化階段，本書的翻譯出版對于大量已經進入和正在進入該行業，急需了解掌握該行業但不諳英語的專業人士是一本難得的專業書籍。
本書可以作為從事碳化硅電力電子材料、功率器件及其應用方面專業技術人員的參考書，也可以作為高等學校微電子學與固體物理學專業高年級本科生、研究生的教學用書或參考書。同時,該書對于在諸如電力供應、換流器-逆變器設計、電動汽車、高溫電子學、傳感器和智能電網技術等方面的設計工程師、應用工程師和產品經理也是有益的。
碳化硅技術基本原理-生長.表征.器件和應用 目錄
譯者序
原書前言
原書作者簡介
第１章 導論１
１.１ 電子學的進展１
１.２ 碳化硅的特性和簡史３
１.２.１ 早期歷史３
１.２.２ ＳｉＣ晶體生長的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本書提綱６ 參考文獻７
第２章 碳化硅的物理性質１０
第３章 碳化硅晶體生長３６
第４章 碳化硅外延生長７０
第５章 碳化硅的缺陷及表征技術１１７
第６章 碳化硅器件工藝１７7
第７章 單極型和雙極型功率二極管２６２
第８章 單極型功率開關器件２８6
第９章 雙極型功率開關器件３３６
９.１ 雙極結型晶體管（ＢＪＴ） ３３６
９.１.１ 內部電流３３７
９.１.２ 增益參數３３８
９.１.３ 端電流３４０
９.１.４ 電流－電壓關系３４１
９.１.５ 集電區中的大電流效應：飽和和準飽和３４３
９.１.６ 基區中的大電流效應：Ｒｉｔｔｎｅｒ效應３４７
９.１.７ 集電區的大電流效應：二次擊穿和基區擴散效應３５１
９.１.８ 共發射極電流增益：溫度特性３５３
９.１.９ 共發射極電流增益：復合效應３５３
９.１.１０ 阻斷電壓３５５
９.２ 絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ） ３５６
９.２.１ 電流－電壓關系３５７
９.２.２ 阻斷電壓３６７
９.２.３ 開關特性３６８
９.２.４ 器件參數的溫度特性３７３
９.３ 晶閘管３７５
９.３.１ 正向導通模式３７７
９.３.２ 正向阻斷模式和觸發３８１
９.３.３ 開通過程３８６
９.３.４ ｄＶ／ｄｔ觸發３８８
９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
９.３.６ 關斷過程３９０
９.３.７ 反向阻斷模式３９７
參考文獻３９７
第１０章 功率器件的優化和比較３９８
第１１章 碳化硅器件在電力系統中的應用４２５
第１２章 專用碳化硅器件及應用４６６
附錄４９０
附錄Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全雜質電離４９０
參考文獻４９４
附錄Ｂ 雙曲函數的性質４９４
附錄Ｃ 常見ＳｉＣ多型體主要物理性質４９７
Ｃ.１ 性質４９７
Ｃ.２ 主要物理性質的溫度和／或摻雜特性４９８
參考文獻４９９
原書前言
原書作者簡介
第１章 導論１
１.１ 電子學的進展１
１.２ 碳化硅的特性和簡史３
１.２.１ 早期歷史３
１.２.２ ＳｉＣ晶體生長的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本書提綱６ 參考文獻７
第２章 碳化硅的物理性質１０
第３章 碳化硅晶體生長３６
第４章 碳化硅外延生長７０
第５章 碳化硅的缺陷及表征技術１１７
第６章 碳化硅器件工藝１７7
第７章 單極型和雙極型功率二極管２６２
第８章 單極型功率開關器件２８6
第９章 雙極型功率開關器件３３６
９.１ 雙極結型晶體管（ＢＪＴ） ３３６
９.１.１ 內部電流３３７
９.１.２ 增益參數３３８
９.１.３ 端電流３４０
９.１.４ 電流－電壓關系３４１
９.１.５ 集電區中的大電流效應：飽和和準飽和３４３
９.１.６ 基區中的大電流效應：Ｒｉｔｔｎｅｒ效應３４７
９.１.７ 集電區的大電流效應：二次擊穿和基區擴散效應３５１
９.１.８ 共發射極電流增益：溫度特性３５３
９.１.９ 共發射極電流增益：復合效應３５３
９.１.１０ 阻斷電壓３５５
９.２ 絕緣柵雙極型晶體管（ＩＧＢＴ） ３５６
９.２.１ 電流－電壓關系３５７
９.２.２ 阻斷電壓３６７
９.２.３ 開關特性３６８
９.２.４ 器件參數的溫度特性３７３
９.３ 晶閘管３７５
９.３.１ 正向導通模式３７７
９.３.２ 正向阻斷模式和觸發３８１
９.３.３ 開通過程３８６
９.３.４ ｄＶ／ｄｔ觸發３８８
９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９
９.３.６ 關斷過程３９０
９.３.７ 反向阻斷模式３９７
參考文獻３９７
第１０章 功率器件的優化和比較３９８
第１１章 碳化硅器件在電力系統中的應用４２５
第１２章 專用碳化硅器件及應用４６６
附錄４９０
附錄Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全雜質電離４９０
參考文獻４９４
附錄Ｂ 雙曲函數的性質４９４
附錄Ｃ 常見ＳｉＣ多型體主要物理性質４９７
Ｃ.１ 性質４９７
Ｃ.２ 主要物理性質的溫度和／或摻雜特性４９８
參考文獻４９９
展開全部
碳化硅技術基本原理-生長.表征.器件和應用 作者簡介
本書的作者ＴｓｕｎｅｎｏｂｕＫｉｍｏｔｏ是京都大學電子科學與工程系的一名教授，長期
從事碳化硅材料、表征、器件工藝以及功率器件等方面的研究，是日本碳化硅界的
領軍人物，在碳化硅的外延生長、光學和電學特性表征、缺陷電子學、離子注入、
金屬－氧化物－半導體（ＭＯＳ） 物理和高電壓器件等方面均有建樹。
而另一位作
者，美國普渡大學電氣與計算機工程學院的ＪａｍｅｓＡＣｏｏｐｅｒ則是一位半導體界的元
老級人物，他在ＭＯＳ器件、ＩＣ及包括硅和碳化硅在內的功率器件方面都有研究和
建樹，特別是碳化硅基ＵＭＯＳＦＥＴ、肖特基二極管、ＵＭＯＳＦＥＴ、橫向ＤＭＯＳＦＥＴ、
ＢＪＴ和ＩＧＢＴ等的開發做出了突出貢獻。
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