預(yù)估到手價(jià)是按參與促銷活動(dòng)、以最優(yōu)惠的購買方案計(jì)算出的價(jià)格(不含優(yōu)惠券部分),僅供參考,未必等同于實(shí)際到手價(jià)。
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Ⅲ—Ⅴ氮化物納米材料的制備及性能研究 版權(quán)信息
- ISBN:9787560358024
- 條形碼:9787560358024 ; 978-7-5603-5802-4
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數(shù):暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>
Ⅲ—Ⅴ氮化物納米材料的制備及性能研究 本書特色
本書對于從事Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料研究的學(xué)者具有一定的參考作用。
Ⅲ—Ⅴ氮化物納米材料的制備及性能研究 內(nèi)容簡介
本著作是作者及其課題組在Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料方面多年研究工作的總結(jié), 具有一定的系統(tǒng)性和前沿性, 部分內(nèi)容為未發(fā)表的成果, 內(nèi)容包括GaN, AlN, InN的納米結(jié)構(gòu)的制備及其性能的研究等。
Ⅲ—Ⅴ氮化物納米材料的制備及性能研究 目錄
第2章 氣相反應(yīng)制備GaN納米線的催化效應(yīng)
第3章 GaN納米帶和納米帶環(huán)的生長與形成機(jī)理
第4章 碳熱輔助法控制生長GaN低維結(jié)構(gòu)
第5章 定向排列的孿晶GaN納米線的制備與表征
第6章 GaN納米柱陣列的制備及表征
第7章 Fe、Co摻雜GaN納米線的制備及性能研究
第8章 GaN及其稀磁半導(dǎo)體納米晶的制備與性能研究
第9章 GaN納米晶體及其復(fù)合材料的制備及性能
第10章 GaN的理論模擬研究
第11章 AIN納米結(jié)構(gòu)的可控制備與表征
第12章 單晶InN納米線的制備及表征
第13章 InN及其稀磁半導(dǎo)體納米晶的制備與性能研究
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