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蒸發及外延法晶體生長技術-晶體生長手冊-第4冊-(影印版) 版權信息
- ISBN：9787560338699
- 條形碼：9787560338699 ; 978-7-5603-3869-9
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
蒸發及外延法晶體生長技術-晶體生長手冊-第4冊-(影印版) 本書特色
《springer手冊精選系列·晶體生長手冊（第4冊）：蒸發及外延法晶體生長技術（影印版）》的主題是氣相生長。這一部分提供了碳化硅、氮化鎵、氮化鋁和有機半導體的氣相生長的內容。隨后的parte是關于外延生長和薄膜的，主要包括從液相的化學氣相淀積到脈沖激光和脈沖電子淀積。
蒸發及外延法晶體生長技術-晶體生長手冊-第4冊-(影印版) 內容簡介
《Springer手冊精選系列·晶體生長手冊（第4冊）：蒸發及外延法晶體生長技術（影印版）》的主題是氣相生長。這一部分提供了碳化硅、氮化鎵、氮化鋁和有機半導體的氣相生長的內容。隨后的PartE是關于外延生長和薄膜的，主要包括從液相的化學氣相淀積到脈沖激光和脈沖電子淀積。
蒸發及外延法晶體生長技術-晶體生長手冊-第4冊-(影印版) 目錄
縮略語
partd 晶體的氣相生長
23 sic晶體的生長與表征
23.1 sic-背景與歷史
23.2 氣相生長
23.3 高溫溶液生長
23.4 籽晶升華的產業化體材料生長
23.5 結構缺陷及其構造
23.6 結語
參考文獻
24 物理氣相傳輸法生長體材料ain晶體
24.1 物理氣相傳輸法晶體生長
24.2 高溫材料兼容
24.3 ain體材料晶體的自籽晶生長
24.4 ain體材料晶體的籽晶生長
24.5 高質量晶體表征
24.6 結論與展望
參考文獻
25 單晶有機半導體的生長
25.1 基礎
25.2 成核與晶體生長理論
25.3 對半導體單晶有機材料的興趣
25.4 提純預生長
25.5 晶體生長
25.6 有機半導體單晶的質量
25.7 有機單晶場效應晶體管
25.8 結論
參考文獻
26 鹵化物氣相外延生長ⅲ族氮化物
26.1 生長化學和熱力學
26.2 hvpe生長設備
26.3 體材料gan的生長襯底和模版
26.4 襯底除去技術
26.5 hvpe中gan的摻雜方法
26.6 缺陷密度、位錯和殘留雜質
26.7 hvpe生長的體材料gan的一些重要性能
26.8 通過hvpe生長ain:一些初步的結論
26.9 通過hvpe生長inn:一些初步的結論
參考文獻
27 半導體單晶的氣相生長
27.1 氣相生長分類
27.2 化學氣相傳輸——傳輸動力學
27.3 熱力學討論
27.4 cvt法ⅱ-ⅵ化合物半導體的生長
27.5 納米材料的氣相生長
27.6ⅰ-ⅲ-ⅵ，化合物生長
27.7 vpe法生長氮化鎵
27.8 結論
參考文獻
parte 外延生長和薄膜
28化學氣相沉積的碳化硅外延生長
28.1 碳化硅極化類型
28.2 碳化硅的缺陷
28.3 碳化硅外延生長
28.4 圖形襯底上的外延生長
28.5 結論
參考文獻
29 半導體的液相電外延
29.1 背景
29.2 早期理論和模型的研究
……
30 半導體的外延橫向增生
31 新材料的液相外延
32 分子束外延的hgcdte生長
33 稀釋氮化物的金屬有機物氣相外延和砷化物量子點
34 鍺硅異質結的形成及其特性
35 脈沖激光的等離子能量和脈沖電子淀積
展開全部
蒸發及外延法晶體生長技術-晶體生長手冊-第4冊-(影印版) 相關資料
施普林格的手冊，一貫全面闡述基礎理論，提供可靠的研究方法和關鍵知識皮及大量的參考文獻，介紹最新的應用實例，前瞻學科的發展方向。手冊作者多為世界首席專家或知名學者。手冊具有極大的實用性，其表格、圖標、索引等更增加了它的使用價值。 ——《springer手冊精選系列》推薦委員會
蒸發及外延法晶體生長技術-晶體生長手冊-第4冊-(影印版) 作者簡介
Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.
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