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納米CMOS電路和物理設計 版權信息
- ISBN：9787111330837
- 條形碼：9787111330837 ; 978-7-111-33083-7
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
納米CMOS電路和物理設計 內容簡介
本書將納米工藝、器件可制造性、先進電路設計和相關物理實現等內容整合到一起，形成了一套先進的半導體技術，探討了器件和工藝的新發展，提供了設計考慮，重點關注了技術與設計的相互影響，并且描述了可制造性設計和波動性的影響。重要的主題包括納米cmos工藝縮小問題及其對設計的影響；亞波長光刻；運行問題的物理與理論以及解決方案；可制造性設計和波動性。
納米CMOS電路和物理設計 目錄
譯者的話
原書序
原書前言
第1章 納米cmos?縮小問題及內涵
1.1 納米cmos時代的設計方法
1.2使得性能改善得到延續所必需的創新
1.3 sub.100nm縮小的挑戰和亞波長光刻綜述
1.3.1后道工藝的挑戰(金屬化)
1.3.2前道工藝的挑戰(晶體管)
1.4工藝控制和可靠性
1.5 光刻問題和掩膜數據爆炸
1.6 新型的電路和物理設計工程師
1.7建模的挑戰
1.8 變革設計方法的需要
1.9 總結
原書序
原書前言
第1章 納米cmos?縮小問題及內涵
1.1 納米cmos時代的設計方法
1.2使得性能改善得到延續所必需的創新
1.3 sub.100nm縮小的挑戰和亞波長光刻綜述
1.3.1后道工藝的挑戰(金屬化)
1.3.2前道工藝的挑戰(晶體管)
1.4工藝控制和可靠性
1.5 光刻問題和掩膜數據爆炸
1.6 新型的電路和物理設計工程師
1.7建模的挑戰
1.8 變革設計方法的需要
1.9 總結
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