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半導體鍺材料與器件 版權信息
- ISBN：9787502451752
- 條形碼：9787502451752 ; 978-7-5024-5175-2
- 裝幀：暫無
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體鍺材料與器件 本書特色
本書作者cor claeys博士和eddy simoen博士是世界知名的半導體材料和器件專家，均任職于國際著名的微電子研究機構imec，他們在書中系統(tǒng)總結(jié)了鍺材料與工藝技術的*新進展和鍺器件及其在光電子學、探測器與太陽能電池等領域的研究成果。
全書涵蓋了鍺晶體生長、缺陷控制、雜質(zhì)影響、加工工藝、鍺器件及器件模擬，以及鍺在紅外與其他領域的應用等內(nèi)容，并展望了未來鍺材料和器件的發(fā)展前景。其內(nèi)容廣泛，數(shù)據(jù)詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位中從事半導體器件與材料物理學習和研究人員的參考用書。
半導體鍺材料與器件 內(nèi)容簡介
鍺是研發(fā)晶體管技術的基礎性半導體材料，近年來，由于其在微納電子學領域的潛在優(yōu)勢，半導體鍺材料又重新受到人們的關注。
本書是全面深入探討這一技術領域的首部著作，其內(nèi)容涵蓋了半導體鍺技術研究的*新進展，闡述了鍺材料科學、器件物理和加工工藝的基本原理。作者系來自科學界及工業(yè)界從事該領域前沿研究的國際知名專家。
本書還介紹了鍺在光電子學、探測器以及太陽能電池領域的工業(yè)應用。它對從事半導體器件與材料物理研究的科技人員、高等院校材料專業(yè)的師生以及工業(yè)和研究領域的工程師們而言，是一部必不可少的參考書，無論是專家還是初學者都將從本書中受益。
半導體鍺材料與器件 目錄
0 導論
0.1 引言
0.2 歷史沿革和重大事件
0.3 鍺用作新型超大規(guī)模集成電路(ulsi)襯底：機遇與挑戰(zhàn)
0.4 本書梗概
參考文獻
1 鍺材料
1.1 引言
1.2 體鍺片的制備
1.2.1 鍺原材料：供應及生產(chǎn)流程
1.2.2 鍺晶體生長
1.2.3 鍺片制造
1.3 goi襯底
1.3.1 背面研磨soi
1.3.2 以薄層轉(zhuǎn)移技術制備goi襯底
1.4 結(jié)j淪
參考文獻
2 鍺中長入缺陷
2.1 引言
2.2 鍺中本征點缺陷
2.2.1 本征點缺陷特性的模擬
2.2.2 有關空位特性的實驗數(shù)據(jù)
2.2.3 voronkov模型對鍺的應用
2.3 非本征點缺陷
2.3.1 摻雜劑
2.3.2 中性點缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氫
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 硅
2.4 直拉生長過程中位錯的形成
2.4.1 熱模擬
2.4.2 機械應力的發(fā)生
2.4.3 鍺的力學性質(zhì)
2.4.4 拉晶過程中的位錯成核和增殖
2.4.5 鍺中位錯的電學影響
2.5 點缺陷團
2.5.1 空位團的實驗觀察
2.5.2 空位團形成的模型和模擬
2.6 結(jié)論
參考文獻
3 鍺中摻雜劑的擴散和溶解度
3.1 引言
3.2 半導體中的擴散
3.2.1 擴散機制
3.2.2 自擴散
3.3 鍺中的本征點缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 輻照
3.4 在鍺和硅中的自擴散和ⅳ族原子擴散
3.4.1 放射性示蹤實驗
3.4.2 鍺中同位素作用和ⅳ族元素的擴散
3.4.3 摻雜和壓力的影響
3.4.4 鍺在硅中的擴散
3.5 鍺中雜質(zhì)的溶解度
3.6 鍺中ⅲ、ⅴ族摻雜劑的擴散
3.6.1 ⅲ族受主的擴散
……
4 鍺中氧
5 鍺中金屬
6 鍺中缺陷從頭計算的建模
7 鍺中輻射缺陷及行為
8 鍺器件的電學性能
9 器件模擬
10 納米尺度鍺mos柵介質(zhì)和mos結(jié)
11 先進的鍺mos器件
12 鍺的其他應用
13 發(fā)展趨勢與展望
附錄
0.1 引言
0.2 歷史沿革和重大事件
0.3 鍺用作新型超大規(guī)模集成電路(ulsi)襯底：機遇與挑戰(zhàn)
0.4 本書梗概
參考文獻
1 鍺材料
1.1 引言
1.2 體鍺片的制備
1.2.1 鍺原材料：供應及生產(chǎn)流程
1.2.2 鍺晶體生長
1.2.3 鍺片制造
1.3 goi襯底
1.3.1 背面研磨soi
1.3.2 以薄層轉(zhuǎn)移技術制備goi襯底
1.4 結(jié)j淪
參考文獻
2 鍺中長入缺陷
2.1 引言
2.2 鍺中本征點缺陷
2.2.1 本征點缺陷特性的模擬
2.2.2 有關空位特性的實驗數(shù)據(jù)
2.2.3 voronkov模型對鍺的應用
2.3 非本征點缺陷
2.3.1 摻雜劑
2.3.2 中性點缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氫
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 硅
2.4 直拉生長過程中位錯的形成
2.4.1 熱模擬
2.4.2 機械應力的發(fā)生
2.4.3 鍺的力學性質(zhì)
2.4.4 拉晶過程中的位錯成核和增殖
2.4.5 鍺中位錯的電學影響
2.5 點缺陷團
2.5.1 空位團的實驗觀察
2.5.2 空位團形成的模型和模擬
2.6 結(jié)論
參考文獻
3 鍺中摻雜劑的擴散和溶解度
3.1 引言
3.2 半導體中的擴散
3.2.1 擴散機制
3.2.2 自擴散
3.3 鍺中的本征點缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 輻照
3.4 在鍺和硅中的自擴散和ⅳ族原子擴散
3.4.1 放射性示蹤實驗
3.4.2 鍺中同位素作用和ⅳ族元素的擴散
3.4.3 摻雜和壓力的影響
3.4.4 鍺在硅中的擴散
3.5 鍺中雜質(zhì)的溶解度
3.6 鍺中ⅲ、ⅴ族摻雜劑的擴散
3.6.1 ⅲ族受主的擴散
……
4 鍺中氧
5 鍺中金屬
6 鍺中缺陷從頭計算的建模
7 鍺中輻射缺陷及行為
8 鍺器件的電學性能
9 器件模擬
10 納米尺度鍺mos柵介質(zhì)和mos結(jié)
11 先進的鍺mos器件
12 鍺的其他應用
13 發(fā)展趨勢與展望
附錄
展開全部
半導體鍺材料與器件 節(jié)選
《半導體鍺材料與器件》是全面深入探討這一技術領域的首部著作，其內(nèi)容涵蓋了半導體鍺技術研究的*新進展，闡述了鍺材料科學、器件物理和加工工藝的基本原理。作者系來自科學界及工業(yè)界從事該領域前沿研究的國際知名專家。《半導體鍺材料與器件》還介紹了鍺在光電子學、探測器以及太陽能電池領域的工業(yè)應用。它對從事半導體器件與材料物理研究的科技人員、高等院校材料專業(yè)的師生以及工業(yè)和研究領域的工程師們而言，是一部必不可少的參考書，無論是專家還是初學者都將從《半導體鍺材料與器件》中受益。鍺是研發(fā)晶體管技術的基礎性半導體材料，近年來，由于其在微納電子學領域的潛在優(yōu)勢，半導體鍺材料又重新受到人們的關注。
半導體鍺材料與器件 作者簡介
作者：（比利時）C.克萊 （比利時）E.西蒙 譯者：屠海令 等
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