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SOI——納米技術時代的高端硅基材料 版權信息
- ISBN：9787312022333
- 條形碼：9787312022333 ; 978-7-312-02233-3
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
SOI——納米技術時代的高端硅基材料 內容簡介
本書收集的納米技術時代的高端硅基SOI材料方面的研究論文40篇，主要內容包括：SOI——納米技術時代的高端硅基材料進展，SOI新材料的制備科學，SOI材料與器件特有的物理效應，絕緣體上鍺硅(silicon germanium on insulator，SGOI)新結構和應變硅的制備科學，SOI技術的若干應
SOI——納米技術時代的高端硅基材料 目錄
soi——納米技術時代的高端硅基材料進展
納米技術時代的高端硅基材料——soi、ssoi和goi
soi技術的發展動態
硅基光電子材料和器件的進展和發展趨勢
fabrication of sige-on-insulator and applications for strained si
overview of soi materials technology in china
soi新材料的制備科學
以注氧隔離(simox)技術制備高阻soi材料
硅中注h+引起的缺陷和應力以及剝離的機制
以aln為絕緣埋層的新結構soan材料
多孔硅外延層轉移技術制備soi材料
eltran技術制備雙埋層soim新結構
soi新結構——soi研究的新動向
fabrication of silicon．on．aln novel structure and its residual strain characterization·
buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by smart-cut
void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on p+porous silicon
formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
study of soi substrates incorporated with buried mosiz layer
soi材料與器件特有的物理效應
s0i mosfet浮體效應研究
soi mosfet的自加熱效應研究
s0i器件的輻射效應及其在抗輻射電子學方面的應用進展
evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
……
sgoi新結構和應變硅的制備科學
soi技術的若干應用研究
納米技術時代的高端硅基材料——soi、ssoi和goi
soi技術的發展動態
硅基光電子材料和器件的進展和發展趨勢
fabrication of sige-on-insulator and applications for strained si
overview of soi materials technology in china
soi新材料的制備科學
以注氧隔離(simox)技術制備高阻soi材料
硅中注h+引起的缺陷和應力以及剝離的機制
以aln為絕緣埋層的新結構soan材料
多孔硅外延層轉移技術制備soi材料
eltran技術制備雙埋層soim新結構
soi新結構——soi研究的新動向
fabrication of silicon．on．aln novel structure and its residual strain characterization·
buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by smart-cut
void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on p+porous silicon
formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
study of soi substrates incorporated with buried mosiz layer
soi材料與器件特有的物理效應
s0i mosfet浮體效應研究
soi mosfet的自加熱效應研究
s0i器件的輻射效應及其在抗輻射電子學方面的應用進展
evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
……
sgoi新結構和應變硅的制備科學
soi技術的若干應用研究
展開全部
SOI——納米技術時代的高端硅基材料 作者簡介
林成魯，1965年畢業于中國科技大學近代化學系，現為中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、博士生導師，上海新傲科技有限公司總工程師。長期從事高端硅基半導體新材料SOI(silicon on insulator)的研究。20世紀80年代，在國內率先開展SOI技術基礎研究；90年代，作為SOI創新項目總設計師，組織領導突破SOI材料工程化的關鍵技術；2001年開始，作為新傲公司總工程師，為成功實現SOI研究成果轉化，打破國外的技術封鎖，為建成國內唯一的SOI材料工業化生產線做出了重要貢獻，實現了我國微電子材料的跨越式發展，取得了重大的經濟和社會效益。先后承擔國家攻關、“973”、“863”等多項國家重大項目。在國內外刊物上發表論文300余篇，被SCI收錄的論文240余篇。申請的國家發明專利19項，其中已授權12項。前后已為國家培養數十名研究生，所培養的研究生中獲全國百篇優秀博士論文2名。曾獲得國家科技進步一等獎、中科院杰出科技成就獎等十一項獎勵。
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