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共振隧穿器件及其應(yīng)用 版權(quán)信息
- ISBN：9787030237262
- 條形碼：9787030237262 ; 978-7-03-023726-2
- 裝幀：暫無
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
共振隧穿器件及其應(yīng)用 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書是一本全面、系統(tǒng)地講述共振隧穿器件及其應(yīng)用的著作。全書共10章，第1～3章為共振隧穿二極管的物理基礎(chǔ)、器件模型和模擬以及器件設(shè)計(jì)、制造與參數(shù)測(cè)量；第4～6章為各種類型的共振隧穿二極管、晶體管以及共振隧穿型光電器件；第7～9章為共振隧穿器件在模擬電路、數(shù)字電路和光電集成中的應(yīng)用；第10章論述了共振隧穿器件及其應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)。
本書可作為微電子專業(yè)本科生或研究生選修課程的教材或主要參考書，也可供從事新型半導(dǎo)體器件、高頻和高速化合物半導(dǎo)體器件、納米量子器件及其集成技術(shù)領(lǐng)域研究的科研人員參考。
共振隧穿器件及其應(yīng)用 目錄
《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書》出版說明
序
前言
緒論
0.1 共振隧穿器件
0.2 共振隧穿器件的特點(diǎn)
0.3 共振隧穿器件的分類
0.4 共振隧穿器件的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第1章 共振隧穿二極管概述和物理基礎(chǔ)
1.1 共振隧穿二極管的概述
1.1.1 rtd的工作原理
1.1.2 rtd的設(shè)計(jì)
1.1.3 rtd的參數(shù)及測(cè)試
1.2 rtd的物理模型
1.2.1 rtd的量子力學(xué)基礎(chǔ)
1.2.2 雙勢(shì)壘單勢(shì)阱結(jié)構(gòu)共振隧穿的兩種物理模型
1.2.3 不同維度下隧穿的特征
1.3 rtd中電荷積累效應(yīng)
1.3.1 rtd的電荷積累與負(fù)阻區(qū)本征雙穩(wěn)態(tài)
1.3.2 簡(jiǎn)化的勢(shì)阱電荷方程
1.3.3 發(fā)射區(qū)存在積累層，勢(shì)阱有積累電荷和集電區(qū)存在耗盡層時(shí)的勢(shì)阱電荷方程
1.3.4 負(fù)阻區(qū)本征雙穩(wěn)態(tài)的產(chǎn)生
1.4 強(qiáng)磁場(chǎng)中的共振隧穿效應(yīng)
1.4.1 不含磁性材料rtd的強(qiáng)磁場(chǎng)共振隧穿效應(yīng)
1.4.2 勢(shì)阱含磁性材料的rtd-自旋選擇磁rtd
1.5 不對(duì)稱勢(shì)壘和不對(duì)稱勢(shì)阱結(jié)構(gòu)的共振隧穿效應(yīng)
1.5.1 不對(duì)稱勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的共振隧穿效應(yīng)
1.5.2 不對(duì)稱勢(shì)阱結(jié)構(gòu)的共振隧穿效應(yīng)
參考文獻(xiàn)
第2章 共振隧穿二極管的器件模型和模擬
2.1 電路模擬、器件模型和器件模擬
2.2 rtd的直流器件模型
2.2.1 基于物理參數(shù)fv方程rtd模型
2.2.2 高斯函數(shù)、指數(shù)函數(shù)rtd直流模型
2.3 利用atlas器件模擬軟件進(jìn)行rtd器件模擬
2.3.1 atlas模擬軟件簡(jiǎn)介
2.3.2 rtd器件模擬
2.4 利用維格納函數(shù)-泊松方程模擬rtd i-v特性
2.4.1 rtd i-v特性負(fù)阻區(qū)平臺(tái)（plateau-like）結(jié)構(gòu)
2.4.2 數(shù)值計(jì)算和維格納函數(shù)方程一泊松方程
2.4.3 模擬結(jié)果對(duì)rtd j-v特性負(fù)阻區(qū)平臺(tái)結(jié)構(gòu)的解釋
2.4.4 用模擬結(jié)果分析負(fù)阻區(qū)平臺(tái)結(jié)構(gòu)和滯后特性隨rtd結(jié)構(gòu)參數(shù)變化
2.5 rtd交流小信號(hào)等效電路模型
2.5.1 簡(jiǎn)單的rnc等效電路模型
2.5.2 量子阱電感l(wèi)qw等效電路模型
2.5.3 集電極耗盡區(qū)渡越時(shí)間等效電路模型
2.5.4 理論綜合等效電路模型
參考文獻(xiàn)
……
第3章 共振隧穿二極管的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)量和可靠性
第4章 帶間共振隧穿二極管和鍺硅/硅共振隧穿二極管
第5章 共振隧穿晶體管
第6章 共振隧穿型光電器件
第7章 共振隧穿器件在微波、毫米波電路中的應(yīng)用
第8章 共振隧穿器件在高速數(shù)字電路中的應(yīng)用
第9章 rtd光控單-雙穩(wěn)邏輯轉(zhuǎn)換單元
第10章 共振隧穿器件及其集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和目前研究熱點(diǎn)
附錄
序
前言
緒論
0.1 共振隧穿器件
0.2 共振隧穿器件的特點(diǎn)
0.3 共振隧穿器件的分類
0.4 共振隧穿器件的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第1章 共振隧穿二極管概述和物理基礎(chǔ)
1.1 共振隧穿二極管的概述
1.1.1 rtd的工作原理
1.1.2 rtd的設(shè)計(jì)
1.1.3 rtd的參數(shù)及測(cè)試
1.2 rtd的物理模型
1.2.1 rtd的量子力學(xué)基礎(chǔ)
1.2.2 雙勢(shì)壘單勢(shì)阱結(jié)構(gòu)共振隧穿的兩種物理模型
1.2.3 不同維度下隧穿的特征
1.3 rtd中電荷積累效應(yīng)
1.3.1 rtd的電荷積累與負(fù)阻區(qū)本征雙穩(wěn)態(tài)
1.3.2 簡(jiǎn)化的勢(shì)阱電荷方程
1.3.3 發(fā)射區(qū)存在積累層，勢(shì)阱有積累電荷和集電區(qū)存在耗盡層時(shí)的勢(shì)阱電荷方程
1.3.4 負(fù)阻區(qū)本征雙穩(wěn)態(tài)的產(chǎn)生
1.4 強(qiáng)磁場(chǎng)中的共振隧穿效應(yīng)
1.4.1 不含磁性材料rtd的強(qiáng)磁場(chǎng)共振隧穿效應(yīng)
1.4.2 勢(shì)阱含磁性材料的rtd-自旋選擇磁rtd
1.5 不對(duì)稱勢(shì)壘和不對(duì)稱勢(shì)阱結(jié)構(gòu)的共振隧穿效應(yīng)
1.5.1 不對(duì)稱勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的共振隧穿效應(yīng)
1.5.2 不對(duì)稱勢(shì)阱結(jié)構(gòu)的共振隧穿效應(yīng)
參考文獻(xiàn)
第2章 共振隧穿二極管的器件模型和模擬
2.1 電路模擬、器件模型和器件模擬
2.2 rtd的直流器件模型
2.2.1 基于物理參數(shù)fv方程rtd模型
2.2.2 高斯函數(shù)、指數(shù)函數(shù)rtd直流模型
2.3 利用atlas器件模擬軟件進(jìn)行rtd器件模擬
2.3.1 atlas模擬軟件簡(jiǎn)介
2.3.2 rtd器件模擬
2.4 利用維格納函數(shù)-泊松方程模擬rtd i-v特性
2.4.1 rtd i-v特性負(fù)阻區(qū)平臺(tái)（plateau-like）結(jié)構(gòu)
2.4.2 數(shù)值計(jì)算和維格納函數(shù)方程一泊松方程
2.4.3 模擬結(jié)果對(duì)rtd j-v特性負(fù)阻區(qū)平臺(tái)結(jié)構(gòu)的解釋
2.4.4 用模擬結(jié)果分析負(fù)阻區(qū)平臺(tái)結(jié)構(gòu)和滯后特性隨rtd結(jié)構(gòu)參數(shù)變化
2.5 rtd交流小信號(hào)等效電路模型
2.5.1 簡(jiǎn)單的rnc等效電路模型
2.5.2 量子阱電感l(wèi)qw等效電路模型
2.5.3 集電極耗盡區(qū)渡越時(shí)間等效電路模型
2.5.4 理論綜合等效電路模型
參考文獻(xiàn)
……
第3章 共振隧穿二極管的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)量和可靠性
第4章 帶間共振隧穿二極管和鍺硅/硅共振隧穿二極管
第5章 共振隧穿晶體管
第6章 共振隧穿型光電器件
第7章 共振隧穿器件在微波、毫米波電路中的應(yīng)用
第8章 共振隧穿器件在高速數(shù)字電路中的應(yīng)用
第9章 rtd光控單-雙穩(wěn)邏輯轉(zhuǎn)換單元
第10章 共振隧穿器件及其集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和目前研究熱點(diǎn)
附錄
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